- 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
- 6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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三星 3nm 良率 Exynos 2500
- 據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產，并提供了有關新生產節(jié)點的一些額外細節(jié)。據介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節(jié)點既針對英特爾自己的產品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協同優(yōu)化來實現尖端性能。生產節(jié)點支持<0.6V低壓以及&g
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英特爾 3nm
- 6月17日，據臺媒《工商時報》報道，在產能供不應求的情況下，臺積電將針對3nm/5nm先進制程和先進封裝執(zhí)行價格調漲。其中，3nm代工報價漲幅或在5%以上，而2025年度先進封裝報價也將上漲10~20%。
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- 6月16日消息，據媒體報道，隨著臺積電3納米供不應求，預期臺積電3納米訂單滿至2026年，NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價格。在AI服務器、HPC應用與高階智能手機AI化驅動下，蘋果、高通、英偉達、AMD等四大廠傳大舉包下臺積電3納米家族制程產能，并涌現客戶排隊潮，一路排到2026年。業(yè)界認為，在客戶搶著預訂產能下，臺積3納米家族產能持續(xù)吃緊，將成為近二年常態(tài)。由于供不應求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設備轉換為支持3納米產能，預計月產能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺積電
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臺積電 3nm 供不應求 漲價 NVIDIA AMD 蘋果
- 芯片設計公司Arm今日發(fā)布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產品均使用了其最新的Armv9架構，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設備在AI應用上的性能進行設計優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開發(fā)人員更容易在采用Arm架構的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預計搭載最新內核設計的手機將于2024年底上市。據官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
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- IT之家 5 月 27 日消息，X 平臺消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英偉達有望于明年推出的首款 AI PC 處理器將采用英特爾“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回應另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文時發(fā)表這一看法的：@XpeaGPU 認為英偉達的 WoA SoC 將搭載 Arm Coretex-X5 架構 CPU 內核、英偉達 Blackwell 架構 GPU，封裝下一代 LPDDR6 內存，并基于臺積電 N3P 制程。
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- IT之家 5 月 24 日消息，臺積電高管黃遠國昨日在 2024 年臺積電技術論壇新竹場表示，該企業(yè)將在今年新建七座工廠，而今年的 3nm 產能將達到去年的四倍。具體而言，臺積電 2024 年將在全球建設 5 座晶圓廠和 2 座先進封裝廠。臺積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程，目前都處于設備進駐階段，預計 2025 年陸續(xù)進入量產。IT之家早前報道中也提到，臺積電已確認其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動工，預估 202
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- 全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程，不過據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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- IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術研討會，表示其 3nm 工藝節(jié)點已步入正軌，N3P 節(jié)點將于 2024 年下半年投入量產。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節(jié)點良率進一步提高，已經媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經完成質量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
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- 最新消息，臺積電官網宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm，量產時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經封頂，最后的鋼梁已經吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
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- 最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發(fā)現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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- 2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
- 據外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯發(fā)科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術生產下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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- 11月6日，聯發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉而采用“全大核”架構，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯發(fā)科予以否認并聲稱其性能表現出色。近期有爆料稱聯發(fā)科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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