3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專家對(duì)
關(guān)鍵字： 3D NAND

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤

SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)

IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡(jiǎn)化而設(shè)

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International R
關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng) IR IC

3D NAND競(jìng)爭(zhēng)火熱三星成市場(chǎng)最大贏家

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： 3D NAND 三星

3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM

如何判定電路中IC的是否工作？

　　如何準(zhǔn)確判斷電路中集成電路IC的是否工作，是好是壞是修理電視、音響、錄像設(shè)備的一個(gè)重要內(nèi)容，判斷不準(zhǔn)，往往花大力氣換上新集成電路而故障依然存在，所以要對(duì)集成電路作出正確判斷。　　1、首先要掌握該電路中IC的用途、內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理、主要電特性等，必要時(shí)還要分析內(nèi)部電原理圖。除了這些，如果再有各引腳對(duì)地直流電壓、波形、對(duì)地正反向直流電阻值，那么，對(duì)檢查前判斷提供了更有利條件; 　　2、然后按故障現(xiàn)象判斷其部位，再按部位查找故障元件。有時(shí)需要多種判斷方法去證明該器件是否確屬損壞。　　3、一般對(duì)電路中I
關(guān)鍵字： IC 集成電路

臺(tái)媒:再不開放陸資，臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)危矣

　　社會(huì)高度關(guān)注政客民意調(diào)查的“死亡交叉”，卻少有人注意到另一個(gè)死亡交叉的出現(xiàn)，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收在今年已被大陸超越。蔡政府迫于情勢(shì)，近日傳出有意“默許”業(yè)者轉(zhuǎn)經(jīng)第三地赴大陸投資。　　臺(tái)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值被陸超越　　IC設(shè)計(jì)繞過審查登陸蔡默許不管　　我們認(rèn)為，政府這種思維與作法只能以“一錯(cuò)再錯(cuò)”名之，先錯(cuò)估產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與需求，強(qiáng)硬阻擋兩岸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)合作，確定情勢(shì)不利后，竟不肯“開大門，走大道”，
關(guān)鍵字： IC 晶圓

美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng)，此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
關(guān)鍵字：美光 3D NAND

3D NAND風(fēng)暴來襲，中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)器

老杳:相比IC中國(guó)自主OS何以如此阿斗？

產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要扶植巨頭，因?yàn)樗麄儾粌H擁有人才管理、企業(yè)運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，也擁有全球領(lǐng)先的管理制度和激勵(lì)制度，自主OS要崛起沒有捷徑可走。
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
關(guān)鍵字：美光 3D NAND

面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

能與IC整合的超小尺寸光探測(cè)器

　　德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器，占位面積不到100平方微米… 　　玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時(shí)代的傳輸高速公路──德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (Karlsruhe Institute of Technology，KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器(photo detector)，是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，研究人員聲稱其占位面積不到100平
關(guān)鍵字： IC 光探測(cè)器

Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動(dòng)器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級(jí)非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個(gè)簡(jiǎn)單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
關(guān)鍵字： Power Integrations LYTSwitch-7 IC