14納米 文章 進入14納米技術(shù)社區(qū)
傳Nvidia也變“芯” 擁抱三星14納米制程
- 臺積電再掉單?韓媒報導(dǎo)，蘋果、高通之外，繪圖晶片巨擘Nvidia也看上三星電子的14奈米FinFET制程，將從臺積電轉(zhuǎn)單三星。 韓媒3日報導(dǎo)，Nvidia轉(zhuǎn)單三星，可提前一季推出次世代制程晶片。Meritz Securities分析師Park Yu-ak表示，今年全球廠商可能會全力降低成本，以抵銷應(yīng)用處理器價格下滑的損失。預(yù)料三星系統(tǒng)半導(dǎo)體部門今年第二季會向蘋果、高通、Nvidia出貨。 與此同時，三星拓展記憶體業(yè)務(wù)，3日宣稱量產(chǎn)業(yè)界首見的ePoP(embedded package on
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格羅方德喊冤！強調(diào)14納米技術(shù)良率、量產(chǎn)進度都OK
- Semiwatch長期觀察半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的分析師Robert Maire先前傳出，臺積電競爭對手格羅方德半導(dǎo)體( GlobalFoundries Inc.)已要求供應(yīng)商將14 奈米半導(dǎo)體設(shè)備運送倉庫暫存、而非直接在晶圓廠進行安裝，因此引發(fā)格羅方德可能面臨良率問題等疑慮。Summit Research分析師Srini Sundarajan 30日也發(fā)表研究報告，確認格羅方德將設(shè)備暫送倉庫存放的說法。 不過，格羅方德發(fā)言人Jason Gorss 30日隨后特地對barron`s發(fā)布電子郵件聲明稿表示
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三星擬以14納米FinFET制程 守住蘋果、進攻臺積電
- 三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開始量產(chǎn)采用14納米FinFET制程技術(shù)的A9芯片，這對于三星來說，在搶佔先進微細制程市場以及與蘋果(Apple)合作關(guān)系上，可以說是一箭雙雕。 據(jù)ET News報導(dǎo)，三星美國奧斯汀廠傳出已經(jīng)開始量產(chǎn)采用14納米FinFET技術(shù)的蘋果A9。雖然美國奧斯汀廠以及韓國器興廠均擁有FinFET制程的產(chǎn)線，但由于為量產(chǎn)的第一階段，因此先由奧斯汀廠打頭陣。 此外分析指出，由于顧及次世代芯片性能資安以及供應(yīng)等問題，奧斯汀廠是在蘋果的要求下首先
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三星披露：開始14納米芯片合約生產(chǎn)
- 三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)及LSI系統(tǒng)業(yè)務(wù)部門總裁金奇南(Kim Ki-nam)表示，14納米FinFET芯片工廠已經(jīng)開始批量生產(chǎn)，不過，他并未透露這家工廠的客戶。 三星這家14納米制程工廠主要是為了拉攏臺積電的客戶。 三星為蘋果生產(chǎn)的首批14納米芯片很可能由這兩家工廠制造，有傳言稱，蘋果已經(jīng)開始下單生產(chǎn)S1系統(tǒng)芯片，S1芯片將用于蘋果智能手表。而業(yè)內(nèi)最大的“應(yīng)用處理器”(AP)巨頭高通也已經(jīng)和三星簽訂協(xié)議，準備生產(chǎn)下一代應(yīng)用處理器。高通應(yīng)用處理器有望出現(xiàn)在AMD新一代的GPU
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臺積急起直追 差距將縮小
- 三星證實14納米制程已進入生產(chǎn)階段，左右與臺積電16納米的市占落差，業(yè)界認為，臺積電已全力追趕，明年雖然還是會落后三星，但雙方差距將會縮小。 三星首度出現(xiàn)在臺積電的雷達屏幕上，靠的就是14納米制程，并讓臺積電董事長張忠謀坦言，明年16納米市占率將輸給三星。 業(yè)界認為，三星的14納米制程月產(chǎn)能已有2.5萬片，臺積電則要等到明年6月底前，才能備足5萬片的16納米FinFET+產(chǎn)能，在產(chǎn)能落差下，明年上半年蘋果A9處理器訂單確實可能略低于三星。 不過，業(yè)界認為，三星搶下的A9訂單，應(yīng)該是先
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杠臺積 英特爾14納米搶先出貨
- 臺積電正與英特爾、三星展開14/16納米競賽，英特爾資深副總裁Kirk Skaugen 4日指出，采用14納米生產(chǎn)的首款Broadwell架構(gòu)處理器「Core M」已出貨百萬計，14納米是該公司歷史上最快切入的產(chǎn)品;明年也會出現(xiàn)更多無線化的終端產(chǎn)品。 全球三大晶圓制造廠明年進入14/16納米之爭，由于英特爾以14納米生產(chǎn)的Core M處理器客戶端產(chǎn)品將在年底上市，三星以14納米為高通生產(chǎn)的手機芯片也預(yù)計明年上半年量產(chǎn)，一度落后的臺積電急追，已傳出16納米可能提前在明年第2季量產(chǎn)。 英特爾在
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英特爾推全球首款14納米芯片 10月開始量產(chǎn)
- 2014年IDF期間，英特爾重點介紹了全球首款14納米可以商用的芯片?酷睿?M處理器，并且透露了這個產(chǎn)品發(fā)布的時間節(jié)點：基于這個芯片的產(chǎn)品將于下個月正式量產(chǎn)。關(guān)于這個新產(chǎn)品，有這些新聞點可以和大家分享： 1，功耗。盡管英特爾產(chǎn)品性能強勁，但業(yè)界一直在質(zhì)疑英特爾產(chǎn)品的功耗。這次發(fā)布的新處理器產(chǎn)品，功耗僅4.5瓦，是英特爾歷史上效能最高的酷睿處理器。 英特爾數(shù)據(jù)顯示，與上一代產(chǎn)品相比，由于功耗已降低至4.5W，在執(zhí)行有效工作負載的情況下，可將電池的續(xù)航時間延長達20%(1.
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三星迎接FinFET時代 11月量產(chǎn)14納米AP樣品
- 三星電子(SamsungElectronics)將于11月推出先進代工制程14納米鰭式場效電晶體(FinFET)樣品，而此次應(yīng)用14納米制程的應(yīng)用處理器(AP)試制品，也傳出將先提供給高通(Qualcomm)、蘋果(Apple)、超微(AMD)等主要客戶。 據(jù)韓媒Newstomato報導(dǎo)，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部計畫將于年內(nèi)開始量產(chǎn)14納米、20納米晶圓代工產(chǎn)品。擴大產(chǎn)能(Rampup)時機??雖仍未決定，但業(yè)界分析，三星電子在與高通、蘋果簽訂最終晶圓代工合約后，有可能將于2015年上半擴大
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英特爾公布最新微架構(gòu)及14納米制程的技術(shù)細節(jié)
- 英特爾今天公布了最新微架構(gòu)的細節(jié)，該微架構(gòu)使用英特爾業(yè)界領(lǐng)先的14納米制程工藝進行了優(yōu)化。新的微架構(gòu)和14納米制程技術(shù)相結(jié)合，將以高性能、低功耗的特性支持一系列計算需求和產(chǎn)品，涵蓋了從云計算和物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，到個人及移動計算。 新聞要點： 英特爾披露了英特爾®酷睿™ M處理器的微架構(gòu)細節(jié)，這是利用英特爾14納米技術(shù)制造的第一款產(chǎn)品。 新的微架構(gòu)和制程的結(jié)合將帶來新一輪外觀和體驗上的創(chuàng)新，產(chǎn)品會更加輕薄、噪音更低。 相比上一代處理器
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GLOBALFOUNDRIES年底驗證14納米工藝明年量產(chǎn)
- 現(xiàn)任GLOBALFOUNDRIES高級副總裁暨新加坡分公司總經(jīng)理洪啟財日前接受記者獨家專訪時表示，通過與韓國三星公司的技術(shù)合作，GLOBALFOUNDRIES的14納米工藝產(chǎn)線將在今年年底完成驗證工作，2015年將在Fab8廠順利進入量產(chǎn)階段，量產(chǎn)規(guī)?？蓮淖畛醯拿吭?萬片增長到6萬片。 ??????? ?????? 現(xiàn)任GLOBALFOUNDRIES高級副總裁暨新加坡分
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整體16/14納米FinFET設(shè)備訂單恐延一季
- Needham & Co.半導(dǎo)體設(shè)備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析，認為相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)訂單卻將遞延一季。 barron`s.com報導(dǎo)，Mok發(fā)表研究報告指出，據(jù)了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產(chǎn)能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設(shè)備，這似乎支持了近來傳出的高通(Qualco
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三星攜手GLOBALFOUNDRIES開發(fā)14nm工藝
- 根據(jù)為期多年的協(xié)議，GLOBALFOUNDRIES將授權(quán)三星的14納米FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國和韓國的晶圓廠制造和生產(chǎn)14nm。這是在晶圓業(yè)第一個能從20納米真實面積縮放的14納米FinFET技術(shù)，而這術(shù)平臺已經(jīng)獲得了牽引作為高容量，低功耗的SoC設(shè)計中的首選。隨著GLOBALFOUNDRIES和三星攜手合作，無晶圓廠半導(dǎo)體客戶將享有更多的選擇和靈活性，因為供應(yīng)將來自多個世界源地。與此同時，無晶圓廠半導(dǎo)體客戶也能維持在流動性和IT基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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英特爾三星14納米來勢洶洶 臺積電迎戰(zhàn)
- 全球半導(dǎo)體大廠臺積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準備投入量產(chǎn)，臺積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體業(yè)者透露，面對競爭對手14納米進逼，臺積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰(zhàn)，傳出內(nèi)部針對16納米制程規(guī)劃3個版本，且第二版本可能直接在2014年底進行試產(chǎn)，近期已開始說服客戶導(dǎo)入。 三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部已完成14納米FinFE
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14納米：“六仙”過海 各顯神通
- 摩爾定律即將敲響終止的音符，業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法，其中從大的方面，包括從工藝來看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進程等。顯然時至今日尚沒有非常清楚的路線圖，但是硅基半導(dǎo)體之后采用什么材料仍值得人們期待。 英特爾：繼續(xù)執(zhí)行“Tick-Tock”發(fā)展策略 英特爾預(yù)計2014年導(dǎo)入14nm制程量產(chǎn)，2015年導(dǎo)入10nm制程，并計劃于2017年達到7nm。 據(jù)英特爾已經(jīng)公布的工藝路線圖顯示，在201
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英特爾揭開14納米至強與凌動服務(wù)器芯片神秘面紗
- 英特爾目前仍然牢牢把持著數(shù)據(jù)中心，至少是數(shù)據(jù)中心內(nèi)的大部分服務(wù)器，自然希望在保持現(xiàn)狀之外在網(wǎng)絡(luò)及存儲業(yè)務(wù)等毗鄰領(lǐng)域占據(jù)統(tǒng)治地位。有鑒于此，芯片巨頭舉辦了為期一天的記者與分析師招待會。同時參加的還有公司數(shù)據(jù)中心與連接系統(tǒng)部門的所有高層，共同就未來數(shù)年的數(shù)據(jù)中心發(fā)展戰(zhàn)略做出說明。 作為會議的一部分，英特爾公司披露了針對低功耗服務(wù)器的芯片路線圖，外加服務(wù)器與存儲類凌動芯片產(chǎn)品，代號分別為“Avoton”與“Rangeley”。 “我們清
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14納米介紹
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