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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

  • 　　記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。 　
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羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

  • 為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
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科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片

  • LED 領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  • 　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強(qiáng)大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)?？其J的垂直整合能力確保能夠?yàn)榭蛻籼峁┽槍Ω咂焚|(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  • LED領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場的發(fā)展。此項(xiàng)最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

  • 進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  SiC  JFET  

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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超過20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓

  • 　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。 　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
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羅姆清華探索校企合作新模式

  • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗(yàn)。會后，羅姆株式會社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。 以“羅姆”命名清華樓，并無排他性 ?????
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
  • 關(guān)鍵字： 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集

  • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
  • 關(guān)鍵字： IMEC  SiC  生物電信號采集    
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碳化硅（sic）介紹

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