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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓?fù)洹H缃?,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?! ∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn),考慮到成本效益,它
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然,要進(jìn)行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
  • 關(guān)鍵字: 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓?fù)洹H缃?,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?! ∮w凌工業(yè)功率控
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三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

  •   三菱電機(jī)于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中,以十款新型功率器件強(qiáng)勢登場,其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機(jī)展位號:E06)?! ∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題,今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域,包括:變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電,致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?! ∽冾l家電市場  在變頻家電應(yīng)用方面,三菱電機(jī)展出
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SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設(shè)計(jì)

  • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
  • 關(guān)鍵字: SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案  

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

  • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何
  • 關(guān)鍵字: EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC  

碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化

  •   <概要>  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a(chǎn)品通過ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時),這非常有助于應(yīng)
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汽車功率元器件市場前景廣闊

  •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

汽車功率元器件市場前景廣闊

  •   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn),使用200毫米(和
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功率半導(dǎo)體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

  •   與市場的不同的觀點(diǎn):傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢

  •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
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ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

  •   2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號:4100),向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來?! OHM展位信息  "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導(dǎo)體制造商,&
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新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

  •   日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場中的滲透較慢,主要是因?yàn)槠洚a(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
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碳化硅(sic)介紹

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