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碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

高功率SiC模塊助力實現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

  • 國際能源署(IEA)今年發(fā)布的報告稱,2023年全球與能源相關的二氧化碳排放量達到374億噸,較2022年增加4.1億噸,再創(chuàng)新的記錄。其中,交通運輸排放增長最為顯著,激增近2.4億噸,位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一,對于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動的電氣化列車,這一比率則更低。因此,擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實現(xiàn)氣候目標的關鍵。與電動汽車不同的是,電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而,全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾,不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
  • 關鍵字: 碳化硅  功率模塊  軌道交通  

利用SiC模塊進行電動壓縮機設計要點

  • 壓縮機是汽車空調(diào)的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力,通過皮帶帶動壓縮機轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機,以電池為動力,通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機,從而帶動壓縮機轉(zhuǎn)動,實現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度(制冷,制熱)以外,對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
  • 關鍵字: 壓縮機  汽車空調(diào)  SiC  

意法半導體第四代碳化硅功率技術問世!為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

  • 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術,推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
  • 關鍵字: STPOWER  SiC  MOSFET  

劍指8英寸碳化硅!兩大廠官宣合作

  • 9月24日,Resonac(原昭和電工)在官網(wǎng)宣布,其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議,雙方將共同開發(fā)用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中,Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶,Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉,Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術,該技術通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底,將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底,然后將單晶襯底分割成薄膜,從而從一個碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個高質(zhì)量的碳化硅晶圓,由此顯著提
  • 關鍵字: 8英寸  碳化硅  Resonac  

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基(JBS)結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬,有
  • 關鍵字: 東芝  SiC  肖特基勢壘二極管  工業(yè)電源  

【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退

  • 隨著MOSFET柵極長度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中,載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移,例如閾值電壓?(VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移,可能會發(fā)生實質(zhì)性的器件參數(shù)退化,從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關鍵功能:自動提取設備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應力時間的應力測量序列輕松導出測量數(shù)據(jù)進行高級分析本文說明描述了如何在Kei
  • 關鍵字: 202410  泰克科技  MOSFET  

美印宣布將在印度建立半導體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國和印度達成協(xié)議,將共同在印度建立一家半導體制造廠,助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體,這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度半導體計劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并
  • 關鍵字: 半導體  氮化鎵  碳化硅  

Littelfuse推出高頻應用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅(qū)動器

  • 芝加哥,2024年9月19日--Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設計,通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本,為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
  • 關鍵字: littlefuseli  MOSFET  

第4講:SiC的物理特性

  • 與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度,可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外,由
  • 關鍵字: 三菱電機  SiC  

第5講:SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(SF)、以及刃位錯(TED)、螺旋位錯(TSD)、基面位錯(BPD)和這些復合體的混合位錯。就密度而言,最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中,微管是1?10個/cm2,位錯的密度約為103~10?長達個/cm2。至今,與Si相
  • 關鍵字: 三菱電機  SiC  

EPC Power 攜手 Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

  • 幾十年來,電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁,只需輕輕一按開關,便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而,隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長,現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰(zhàn)(包括整合儲能系統(tǒng)),才能確保在用電高峰期電力供應充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商,現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案,共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合,雙方利用碳化硅的強大性能,打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”,使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時
  • 關鍵字: EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  模塊化  電網(wǎng)級儲能  

EPC Power攜手Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

  • 幾十年來,電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁,只需輕輕一按開關,便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而,隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長,現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰(zhàn)(包括整合儲能系統(tǒng)),才能確保在用電高峰期電力供應充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商,現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案,共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合,雙方利用碳化硅的強大性能,打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”,使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時候
  • 關鍵字: EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  電網(wǎng)級儲能方案  

8英寸碳化硅時代呼嘯而來!

  • 近日,我國在8英寸碳化硅領域多番突破,中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級,三義激光首批碳化硅激光設備正式交付,天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售,上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來,未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術,我們拭目以待。關鍵突破!中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日,中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。圖片來源:中國電科據(jù)中國電科官方消息,碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
  • 關鍵字: 8英寸  碳化硅  

高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析,一文get√

  • 高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路(HVIC)是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設計。《高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
  • 關鍵字: MOSFET  IGBT  柵極驅(qū)動器  功率耗散  

6.6 kW車載電動汽車充電器設計

  • 我們采用單全橋LLC拓撲結構,以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390(U60)是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備,可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息,請參閱數(shù)據(jù)表和應用說明。由于輸出電壓高(250?450 Vdc),同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此,我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。
  • 關鍵字: 車載電動汽車充電器  NVHL060N090SC1  SiC   
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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