半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

美國計劃提供高達(dá)16億美元的資金用于包裝計算機(jī)芯片

2024年7月9日，周二，拜登政府表示，將撥款高達(dá)16億美元用于開發(fā)包裝計算機(jī)芯片的新技術(shù)，這是美國在創(chuàng)造人工智能等應(yīng)用所需組件方面領(lǐng)先于中國的主要推動力。這筆擬議的資金是根據(jù)2022年立法通過的“芯片法案”授權(quán)的一部分，將幫助公司在封裝技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新，例如創(chuàng)建更快的數(shù)據(jù)傳輸方法和管理芯片產(chǎn)生的熱量，美國商務(wù)部副部長兼國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院院長Laurie Locascio表示。她在舊金山的一次年度行業(yè)會議上宣布了這一消息，標(biāo)志著公司開始申請研發(fā)項目資助的起點，預(yù)計每個項目的獎勵金額高達(dá)1.5億美元?！拔覀冊?/li>
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芯片行業(yè)-周回顧

熱門新聞美國商務(wù)部發(fā)布了一項意向通知，旨在資助新的研發(fā)活動，以建立和加速國內(nèi)先進(jìn)封裝能力?！懊绹酒ò浮保–HIPS for America）預(yù)計將在五個研發(fā)領(lǐng)域內(nèi)授予最多16億美元的創(chuàng)新資金，每個研究領(lǐng)域約1500萬美元的獎項。美國勞工部通過兩個撥款計劃頒發(fā)了超過2.44億美元的資金，以幫助現(xiàn)代化、多元化和擴(kuò)大注冊學(xué)徒制度，涵蓋包括先進(jìn)制造和網(wǎng)絡(luò)安全在內(nèi)的美國工業(yè)。該機(jī)構(gòu)還向46個州頒發(fā)了超過3900萬美元的撥款，以推動關(guān)鍵行業(yè)的注冊學(xué)徒計劃（RA），包括為“芯片法案”投資提供的勞動力支持。SEMI預(yù)
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哥斯達(dá)黎加的秘密武器：在全球半導(dǎo)體競賽中的可再生能源

哥斯達(dá)黎加希望成為半導(dǎo)體中心并促進(jìn)其經(jīng)濟(jì)發(fā)展。該國必須與其他主要競爭對手（尤其是東南亞地區(qū)的國家）競爭。鑒于這一市場的激烈競爭，任何附加值都顯得尤為重要，使得環(huán)境足跡成為一個關(guān)鍵因素。在哥斯達(dá)黎加，其能源矩陣中約有95%是可再生能源，而其主要競爭對手的這一比例約為12%。根據(jù)外貿(mào)促進(jìn)機(jī)構(gòu)（PROCOMER）的數(shù)據(jù)，持續(xù)性是哥斯達(dá)黎加價值主張中的競爭優(yōu)勢?！熬唧w到半導(dǎo)體行業(yè)，這意味著哥斯達(dá)黎加相對于競爭國家擁有機(jī)會，因為該行業(yè)的公司擁有內(nèi)部可持續(xù)發(fā)展計劃，重點是使用可再生能源，這也符合全球行業(yè)趨勢和到205
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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲廠商們準(zhǔn)備好了嗎？

在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個版本：HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
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高端不行低端死命卷！工信部：我國芯片自給率僅10% 差距還很大

7月15日消息，近日，工信部電子五所元器件與材料研究院高級副院長羅道軍公開表示，我國芯片自給率僅10%，需要努力的地方還很多。羅道軍談到，中國擁有最大的新能源車產(chǎn)能，用量也是越來越多。但是，芯片的自給率確實目前不到10%，是結(jié)構(gòu)性的短缺。他建議做車位芯片的企業(yè)盡量往高端走，低端現(xiàn)在又開始卷的不行了。“我們有一句俗語叫只要國人會做的事情，很快就會決掉，所以必須要不斷的創(chuàng)新”，他說。羅道軍強(qiáng)調(diào)，中國現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)里面兩個亮點，一個新能源，一個汽車。他坦言道，“如今國際環(huán)境越來越差，車企的內(nèi)卷也越來越厲害。所以對芯
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先進(jìn)封裝成半導(dǎo)體競爭力關(guān)鍵，美國宣布16億美元補助

外媒報導(dǎo)，美國商務(wù)部10日公布意向通知（NOI），啟動研發(fā)（R&D）競賽，建立加速美國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能。正如美國國家先進(jìn)封裝制造計劃（NAPMP）愿景，美國芯片法案計劃提供16億美元給五個新創(chuàng)領(lǐng)域。借潛在合作協(xié)議，芯片法案提供多個獎項，每獎項約1.5億美元資金，領(lǐng)導(dǎo)工業(yè)界和學(xué)術(shù)界民間投資。政府資助活動包括一或多個領(lǐng)域，如設(shè)備、工具、技術(shù)和技術(shù)整合，電力輸送和熱管理，連接器技術(shù)，光子學(xué)和射頻（RF），小芯片（Chiplet）生態(tài)系統(tǒng)，以及協(xié)同設(shè)計／電子設(shè)計自動化（EDA）等。美國除了資助研發(fā)領(lǐng)域，
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半導(dǎo)體芯片封裝將迎新格局，玻璃基板技術(shù)冉冉升起

7 月 12 日消息，集邦咨詢于 7 月 10 日發(fā)布博文，玻璃基板技術(shù)憑借著卓越的性能以及諸多優(yōu)勢，已經(jīng)成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域一顆冉冉升起的新星。玻璃基板技術(shù)芯片基板是用來固定晶圓切好的裸晶（Die），封裝的最后一步的主角，基板上固定的裸晶越多，整個芯片的晶體管數(shù)量就越多。芯片基板材料主要經(jīng)歷了兩次迭代，上世紀(jì) 70 年代開始使用引線框架，在 90 年代過渡到陶瓷基板，也是目前最常見的有機(jī)材料基板。在封裝解決方案中，玻璃基板相比有機(jī)基板有更多優(yōu)勢，IT之家簡要匯總?cè)缦拢骸?卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)特性· 芯片上
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎爆發(fā)新風(fēng)口，存儲芯片廠商重金“下注”

自ChatGPT發(fā)布以來，人工智能AI迅速席卷全球，引發(fā)了新一輪的科技革命。與此同時，隨著HBM市場需求持續(xù)火爆，以SK海力士、三星、美光等為代表的半導(dǎo)體存儲芯片廠商亦抓住機(jī)會轉(zhuǎn)變賽道，開啟了新一輪的市場爭奪戰(zhàn)。投資約748億美元存儲芯片廠商SK海力士押注AI近日，據(jù)彭博社及路透社等外媒報道，半導(dǎo)體存儲芯片廠商SK海力士計劃投資103萬億韓元（約748億美元）發(fā)展芯片業(yè)務(wù)，重點關(guān)注人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域。報道稱，韓國SK集團(tuán)上周日在一份申明中表示，旗下存儲芯片廠商SK海力士計劃在2028年前投資103萬億韓
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消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導(dǎo)體封裝大客戶

7 月 4 日消息，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報報道，在 AMD 之后，蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴(kuò)大和臺積電的合作，預(yù)估在2025 年使用該技術(shù)。臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時，也在積極推動下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺積電 SoIC 的首發(fā)客戶，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案，可將不同尺寸、功能、節(jié)點的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合，目前在位于竹南的第五座封測廠 AP6 生產(chǎn)。臺積電目前已經(jīng)整合封裝工藝構(gòu)建 3D Fabric 系統(tǒng)，其中分為 3
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2024年上半年，芯片和石墨烯技術(shù)以及第二臺百億億次計算機(jī)推動半導(dǎo)體極限

摩爾定律遇到物理極限，但GPU技術(shù)繼續(xù)快速演變摩爾定律預(yù)測大約每兩年晶體管密度加倍，現(xiàn)在正接近其物理極限。然而，GPU技術(shù)依然在快速演變，架構(gòu)和專用處理單元的創(chuàng)新推動了持續(xù)的性能提升。多芯片模塊、3D芯片堆疊和高級緩存層次結(jié)構(gòu)正在突破單片集成電路的限制。2024年上半年見證了一波技術(shù)進(jìn)步，包括Nvidia推出的Blackwell GPU架構(gòu)、芯粒技術(shù)的廣泛采用以及熱電池和高帶寬內(nèi)存的重大進(jìn)展。本文將探討2024年上半年GPU和半導(dǎo)體技術(shù)的最新趨勢和突破。Aurora超算實現(xiàn)百億億次性能，全球排名第二202
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美國向被忽視地區(qū)的“技術(shù)中心”頒發(fā)5.04億美元資助

拜登政府官員希望這些資金能推動歷史上政府資金較少的地區(qū)的技術(shù)創(chuàng)新。報道2024年7月2日，華盛頓報道，拜登政府周二向全國各地的12個項目頒發(fā)了5.04億美元的資助，以期將過去被忽視的社區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)榧夹g(shù)強(qiáng)國。這些補助金將資助“技術(shù)中心”，旨在增強(qiáng)包括蒙大拿州西部、印第安納州中部、南佛羅里達(dá)州和紐約州上州在內(nèi)的地區(qū)的關(guān)鍵技術(shù)生產(chǎn)。這些中心旨在加速美國先進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，如生物制造、清潔能源、人工智能和個性化醫(yī)學(xué)。背景該計劃反映了聯(lián)邦政府?dāng)U大美國科學(xué)和技術(shù)資金分配的努力，超越硅谷和少數(shù)沿海地區(qū)。拜登政府官員表示，這一舉
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美國將砸錢解決半導(dǎo)體人力荒

報導(dǎo)指出，美國政府將動用為「國家半導(dǎo)體技術(shù)中心」（National Semiconductor Technology Center,NSTC）所撥備的50億美元聯(lián)邦資金，來支持這項被稱為「勞動力合作伙伴聯(lián)盟」的半導(dǎo)體人才培育計劃。NSTC擬向多達(dá)10個勞動力發(fā)展項目提供介于50萬至200萬美元資金，并在未來幾個月啟動申請流程，在考慮所有提案后，官員將拍板總支出規(guī)模。這筆50億美元資金是來自于2022年通過的《芯片與科學(xué)法案》（Chips and Science Act）。這項具里程碑意義的法案展現(xiàn)美國強(qiáng)
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美國國家實驗室證明半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆附近生存

2024年6月25日，美國國家核能辦公室發(fā)表聲明，橡樹嶺國家實驗室（ORNL）的一項新研究證明氮化鎵半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆核心附近的惡劣環(huán)境中成功存活。研究發(fā)現(xiàn)這一發(fā)現(xiàn)可能使得在運行中的反應(yīng)堆中將電子元件放置得更靠近傳感器成為可能，從而實現(xiàn)更精確的測量和更緊湊的設(shè)計。這些研究結(jié)果可能有一天會導(dǎo)致在核反應(yīng)堆中使用無線傳感器，包括目前正在開發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微型反應(yīng)堆設(shè)計。更靠近核心傳感器用于從核反應(yīng)堆中收集信息，可以在設(shè)備故障發(fā)生前識別潛在問題。這有助于防止計劃外停機(jī)，每天可能導(dǎo)致公司損失數(shù)百萬美元的發(fā)電收
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一種研究半導(dǎo)體缺陷的新實驗方法

在凝聚態(tài)物理實驗室（PMC*），一個團(tuán)隊成功確定了與半導(dǎo)體中原子排列缺陷存在相關(guān)的自旋依賴電子結(jié)構(gòu)。這是首次測量到這種結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果發(fā)表在《物理評論快報》上。研究像所有晶體材料一樣，半導(dǎo)體由在空間中完美規(guī)則排列的原子組成。但實際上材料從未完美，即使使用最先進(jìn)的工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，半導(dǎo)體仍然存在缺陷。這些缺陷會改變材料的局部電子結(jié)構(gòu)，可能產(chǎn)生負(fù)面影響，也可能對應(yīng)用有益。這就是為什么理解它們背后的基本物理原理如此重要。這正是PMC團(tuán)隊所完成的工作，得益于阿加莎·烏利巴里在其論文期間的研究，并發(fā)表在《物理評論快
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中國企業(yè)計劃在馬來西亞設(shè)廠以避開美國關(guān)稅上調(diào)

在美國對部分中國商品提高關(guān)稅的背景下，中國企業(yè)正考慮將生產(chǎn)遷往馬來西亞以避開高額稅款。這些企業(yè)要求馬來西亞政府確保其產(chǎn)品在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)后不會受到美國關(guān)稅的影響。據(jù)《金融時報》和《大馬邊緣報》報道，美國總統(tǒng)喬·拜登于2024年5月宣布計劃提高對中國半導(dǎo)體、電池、太陽能產(chǎn)品和其他關(guān)鍵礦物的關(guān)稅，其中半導(dǎo)體關(guān)稅預(yù)計將從2025年起從25%上升至50%。馬來西亞：中國的免稅天堂？消息人士表示，中國的半導(dǎo)體和電池公司已經(jīng)請求馬來西亞政府游說美國，要求對在馬來西亞制造的產(chǎn)品免除這些關(guān)稅。一位馬來西亞官員透露，中國公司億緯
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]