半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
?人工智能數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車的增加可能會(huì)在2024年第二季度提振全球半導(dǎo)體需求
- 半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)計(jì),人工智能數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張和全球電動(dòng)汽車普及將推動(dòng)需求激增。全球半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)計(jì),在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)張和全球電動(dòng)汽車(EV)的加速普及的推動(dòng)下,下一季度需求將出現(xiàn)復(fù)蘇。正如《日經(jīng)亞洲》報(bào)道,專家和行業(yè)分析師預(yù)測“硅周期”將發(fā)生轉(zhuǎn)變,預(yù)計(jì)將出現(xiàn)重大轉(zhuǎn)折,從而提振全球經(jīng)濟(jì)。公司越來越多地采用人工智能包括研究機(jī)構(gòu)和專業(yè)貿(mào)易公司在內(nèi)的領(lǐng)先實(shí)體進(jìn)行的合作評估表明,半導(dǎo)體需求將轉(zhuǎn)向增加。根據(jù)美國研究公司Gartner的預(yù)測,全球80%的公司預(yù)計(jì)將把生成式人工智能整合到他們的運(yùn)營中,這標(biāo)志著從202
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?2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)格局:突破、挑戰(zhàn)和全球影響,行業(yè)邁向2024年
- 2023年,隨著美國技術(shù)制裁的升級,中國半導(dǎo)體行業(yè)面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),美國對先進(jìn)芯片制造工具和人工智能處理器的限制更加嚴(yán)格。10月,美國擴(kuò)大了對半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備的出口管制,從戰(zhàn)略上限制了中國對較不先進(jìn)的英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心芯片的獲取。此舉是遏制中國技術(shù)進(jìn)步的更廣泛努力的一部分,成功說服日本和荷蘭加入限制先進(jìn)半導(dǎo)體工具出口的行列。這些制裁暴露了中國芯片供應(yīng)鏈的脆弱性,促使中國加大力度實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自給自足。國家資金支持國內(nèi)生產(chǎn)較不先進(jìn)的工具和零件的舉措,取得了顯著進(jìn)展。然而,在開發(fā)對先進(jìn)集成電路至關(guān)重要的高端光刻系統(tǒng)
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研究人員成功創(chuàng)建了世界上第一塊由石墨烯制成的功能性半導(dǎo)體
- 研究人員在美國佐治亞理工學(xué)院成功創(chuàng)建了世界上第一塊由石墨烯制成的功能性半導(dǎo)體,石墨烯是由最強(qiáng)結(jié)合力的碳原子單層組成的材料。半導(dǎo)體是在特定條件下導(dǎo)電的材料,是電子設(shè)備的基礎(chǔ)組件。該團(tuán)隊(duì)的突破為一種新型電子技術(shù)打開了大門。這一發(fā)現(xiàn)正值硅,即幾乎所有現(xiàn)代電子設(shè)備都由其制成的材料,面臨著日益迅速的計(jì)算和更小的電子設(shè)備的挑戰(zhàn)。佐治亞理工學(xué)院物理學(xué)教授Walter de Heer領(lǐng)導(dǎo)了一支研究團(tuán)隊(duì),該團(tuán)隊(duì)總部位于美國佐治亞州亞特蘭大市和中國天津,成功制造出一種與傳統(tǒng)微電子加工方法兼容的石墨烯半導(dǎo)體,這對于硅的任何可行
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中國對美國在半導(dǎo)體戰(zhàn)爭中對荷蘭施加壓力提出了“霸權(quán)主義和欺凌行徑”的指責(zé)
- 中國對美國在半導(dǎo)體戰(zhàn)爭中對荷蘭施加壓力,限制涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)的機(jī)械出口的報(bào)道提出了“霸權(quán)主義和欺凌行徑”的指責(zé)。中國外交部發(fā)言人王文彬在向記者發(fā)表講話時(shí)表示:“中國反對美國過度使用國家安全概念,以各種借口強(qiáng)迫其他國家加入其對中國的技術(shù)封鎖。半導(dǎo)體是一個(gè)高度全球化的行業(yè)。在一個(gè)深度融入的世界經(jīng)濟(jì)中,美國的霸權(quán)主義和欺凌行徑嚴(yán)重違反國際貿(mào)易規(guī)則,破壞全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),影響國際工業(yè)和供應(yīng)鏈的安全和穩(wěn)定,必然會(huì)引火燒身?!焙商m公司ASML周一在一份聲明中表示,機(jī)械的出口許可證已被“荷蘭政府部分吊銷,影響到中國的少
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中國將在2024年領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張,全球芯片制造能力將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄水平
- 中國建設(shè)的新晶圓廠數(shù)量超過其他國家。SEMI《全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告》預(yù)計(jì),2024年產(chǎn)能將增長6.4%,達(dá)到每月超過3000萬個(gè)晶圓起動(dòng)(wpm)。在得到政府大力支持的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)中國將在半導(dǎo)體生產(chǎn)擴(kuò)張方面領(lǐng)先全球,2024年預(yù)計(jì)將有18個(gè)新的晶圓廠投入生產(chǎn)。相比2023年的2960萬WSPM(每周晶圓起動(dòng)),這一相當(dāng)可觀的6.4%增長主要是由英特爾、臺(tái)積電和三星Foundry在先進(jìn)邏輯領(lǐng)域的發(fā)展推動(dòng)的,因?yàn)閷θ斯ぶ悄埽ˋI)和高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用處理器的需求繼續(xù)迅速增長。SEMI預(yù)計(jì)從2022年到20
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SEMI報(bào)告:2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1240億美元
- 東京時(shí)間2023年12月12日, SEMI在SEMICON Japan 2023上發(fā)布了《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測報(bào)告》(Year-End Total Semiconductor Equipment Forecast – OEM Perspective)。報(bào)告指出,原始設(shè)備制造商的半導(dǎo)體制造設(shè)備全球總銷售額預(yù)計(jì)將在2023年達(dá)到1000億美元,比2022年創(chuàng)下的1074億美元的行業(yè)記錄收縮6.1%。預(yù)計(jì)半導(dǎo)體制造設(shè)備將在2024年恢復(fù)增長,在前端和后端市場的推動(dòng)下,2025年的銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到1240億美元的
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臺(tái)積電(TSMC)2納米技術(shù)成本飆升或影響人工智能芯片新興市場
- 隨著2023年接近尾聲,臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)正準(zhǔn)備看到其領(lǐng)先半導(dǎo)體制造工藝的成本增加。 TSMC目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是3納米半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù),一份在臺(tái)灣媒體引述的最新報(bào)告猜測,未來3納米和2納米節(jié)點(diǎn)將會(huì)看到顯著的成本增加。這則新聞?wù)?023年度假季市場關(guān)閉之際,分析師報(bào)告稱,這些潛在的成本增加可能會(huì)影響蘋果公司的高端和低端技術(shù)設(shè)備的利潤。據(jù)分析師稱,TSMC的2納米晶圓可能每片高達(dá)3萬美元 今天的報(bào)告非常有趣,因?yàn)樗貜?fù)了2022年臺(tái)灣芯片制造商出售的3納米芯片的晶圓成本估算。3納米制造工藝是
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中國進(jìn)口問題促使美國啟動(dòng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈審查
- 華盛頓,12月21日 美國商務(wù)部周四表示,將啟動(dòng)一項(xiàng)調(diào)查,關(guān)注中國芯片對國家安全帶來的擔(dān)憂,該調(diào)查將涵蓋美國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和國防工業(yè)基地。這項(xiàng)調(diào)查旨在確定美國公司如何采購所謂的“傳統(tǒng)芯片” - 即當(dāng)前世代和成熟節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體,因?yàn)樵摬块T計(jì)劃在半導(dǎo)體芯片制造方面撥款近400億美元。該部門表示,這項(xiàng)計(jì)劃將于明年一月開始,旨在“減少由中國引起的國家安全風(fēng)險(xiǎn)”,并將重點(diǎn)關(guān)注在關(guān)鍵美國產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中使用和采購中國制造的傳統(tǒng)芯片的情況。該部門周四發(fā)布的一份報(bào)告稱,過去十年里,中國向中國半導(dǎo)體行業(yè)提供了約1500億美元的補(bǔ)貼
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長
- 12月22日消息,據(jù)報(bào)道,Adroit Market Research預(yù)計(jì),全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長,到2032年將達(dá)到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示,半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長率高達(dá)11.9%。目前的市場表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下,到2028年,該數(shù)字將增長至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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美國搖搖欲墜的半導(dǎo)體霸權(quán)
- 中國和美國試圖奪取臺(tái)灣的半導(dǎo)體,這是戰(zhàn)爭的真正原因。與中國一樣,美國認(rèn)為人工智能是21世紀(jì)軍事和經(jīng)濟(jì)實(shí)力的關(guān)鍵。在華盛頓特區(qū),共和黨人和民主黨人都對中國的進(jìn)展速度感到擔(dān)憂。事實(shí)上,國會(huì)山的一個(gè)流行笑話是他們唯一能達(dá)成一致的事情就是“中國威脅”。為此,國會(huì)最近通過了《芯片法案》,行政部門一直在實(shí)施貿(mào)易管制,以阻止他們認(rèn)為對中國人工智能的發(fā)展至關(guān)重要的技術(shù)。盡管這種愿望是理性的,但在中長期內(nèi)不太可能奏效,而且只會(huì)加劇地緣政治緊張局勢。美國的技術(shù)戰(zhàn)略依賴于七個(gè)現(xiàn)實(shí),盡管這些現(xiàn)實(shí)今天是真實(shí)的,但明天可能不再全部如
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半導(dǎo)體工藝技術(shù):它的歷史、趨勢和演變
- 半導(dǎo)體工藝技術(shù):它的歷史、趨勢和演變半導(dǎo)體行業(yè)的數(shù)字、模擬、工具、制造和材料領(lǐng)域都有重大發(fā)展。芯片開發(fā)需要從設(shè)計(jì)到制造的各個(gè)層面的先進(jìn)復(fù)雜工藝。為了應(yīng)對目前正在蔓延的對半導(dǎo)體日益增長的需求,需要從建筑設(shè)計(jì)到可持續(xù)材料采購和端到端制造進(jìn)行重大變革。因此,采用高效的最新技術(shù),并解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn),是該行業(yè)的現(xiàn)狀。物聯(lián)網(wǎng)和半導(dǎo)體用于數(shù)字化轉(zhuǎn)型:最近,我們的互聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備和5g都有了重大發(fā)展。我們需要從根本上了解將導(dǎo)致這一新創(chuàng)新的基本技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)和5g,人工智能的進(jìn)化將盡早到來。在過去的3
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?日本SBI、沙特阿美將探索Web3、半導(dǎo)體制造
- 日本金融服務(wù)公司SBI和沙特阿美石油公司簽署了一份諒解備忘錄,以探索數(shù)字資產(chǎn)和半導(dǎo)體,雙方可以利用其投資組合。根據(jù)公告,此次合作將支持日本數(shù)字資產(chǎn)服務(wù)提供商向沙特阿拉伯的擴(kuò)張,其安排旨在提供技術(shù)和監(jiān)管支持。兩家公司表示,諒解備忘錄將涉及“數(shù)字資產(chǎn)合作”,各方將共同尋找投資機(jī)會(huì)。這一安排將擴(kuò)大到啟動(dòng)幾項(xiàng)與半導(dǎo)體有關(guān)的舉措,包括在日本和沙特阿拉伯建立制造廠。諒解備忘錄中寫道:“通過與阿美石油公司的合作,雙方將共同利用彼此的知識(shí)和資源,討論半導(dǎo)體、數(shù)字資產(chǎn)等先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步商機(jī),并為日本和沙特阿拉伯之間的經(jīng)
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半導(dǎo)體巨頭爭相推進(jìn)下一代尖端芯片
- 臺(tái)積電、三星和英特爾爭奪“2納米”芯片,這將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來數(shù)十年來,芯片制造商一直在努力制造越來越緊湊的產(chǎn)品——芯片上的晶體管越小,能耗就越低,速度就越高。 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競相推出所謂的“2納米”處理器芯片,這將為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動(dòng)力。臺(tái)積電(TSMC)仍然是分析師們認(rèn)為能夠保持其全球行業(yè)領(lǐng)先地位的公司,但三星電子和英特爾已經(jīng)確定了這一行業(yè)的下一個(gè)飛躍,看作是縮小差距的機(jī)會(huì)。數(shù)十年來,芯片制造商一直在努力制造越來越緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小,能耗就越低,
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SiC是否會(huì)成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命,進(jìn)入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場,汽車使用市場的增長比最初的預(yù)想早了一年多,功率半導(dǎo)體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前,行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而,解決SiC容量增強(qiáng)問題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國和中國之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化,這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道,2023年9月7日,該公司表示,“中國SiC市場全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家。”中國Si
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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