韓國貿易部周三表示，即使在華盛頓提議的旨在防止美國補貼在中國使用的規(guī)則實施之后，但三星電子和 SK 海力士將能夠維護和升級其在中國的制造設施——盡管幅度很小。美國商務部周二宣布，將限制《芯片與科學法案》資金的接受者在包括中國和俄羅斯在內的“相關國家”投資擴大半導體制造。 但該限制并非完全禁止在中國投資，因為該部門允許接受公司將先進芯片的產能擴大 5%，將采用相對較舊制造工藝生產的芯片產能擴大 10%。 貿易、工業(yè)和能源部在審查了所謂的芯片護欄細節(jié)和去年通過的
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韓國 三星 SK海力士 芯片法案
近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND
Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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300層 NAND Flash SK海力士
由于存儲芯片價格暴跌，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。財聯(lián)社2月1日訊（編輯 卞純）由于存儲芯片價格暴跌，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。海力士公布，在截至去年12月的三個月，營收下降38%，運營虧損1.7萬億韓元（合14億美元）。分析師的平均預期是虧損1.1萬億韓元。存儲芯片價格已經較202
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SK海力士 存儲芯片 虧損 價格
· 副會長樸正浩會見高通公司高層，廣泛探討合作機會· SK海力士將繼續(xù)尋求與全球科技企業(yè)跨地域、跨行業(yè)展開合作 韓國首爾，2023年1月6日 – SK海力士今日宣布，SK海力士副會長兼聯(lián)合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。1月4日（美國時間），樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯(lián)合CEO郭魯正及其他高層領導，與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。雙方高層就眾多話題展開討
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SK海力士 高通 CES 2023
2022年內存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價了，2TB不到700元，但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受，三星已經開始出手逆轉價格，12月份閃存漲價10%。據電子時報援引供應鏈消息，雖然市場需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調NAND閃存價格，其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務之后，SK海力士成立了
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SSD 閃存 三星 SK海力士 美光
SK海力士宣布，已經研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務器領域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術，通過在DRAM內存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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SK海力士 DDR5 DIMM 內存
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務器 DRAM 產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
很顯然內存市場的需求依然很淡，不少消費者依然沒有出手，當然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調研機構TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢，主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價下調至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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內存 DRAM，三星 SK海力士
高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一種可以實現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統(tǒng)。隨著計算技術的發(fā)展，機器學習的應用日漸廣泛，而機器學習的基礎是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經網絡模型。作為速度最快的DRAM產品，HBM在克服計算技術的局限性方面發(fā)揮著關鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎技術和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結構中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過
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速度 HBM SK海力士
作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備，但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是，全球智能手機老大已經在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
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SK海力士 移動端 DRAM HKMG
Intel把閃存業(yè)務賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費級/企業(yè)級品牌，關系類似于美光和英睿達。日前在Tech Field Day 2022技術峰會上，Solidigm預覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。看來Intel此前的QLC技術積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會取代它。顯然最重要的原因還是成本效應，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。
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英特爾 SK海力士 閃存
由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal
Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell
Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
據SK海力士最新公告，公司為加強事業(yè)競爭力以及提高企業(yè)價值，正在研究多種戰(zhàn)略方案，但就共同收購Arm的事宜，目前尚未推進。此前，SK海力士曾表示，正在審查各種策略選擇，其中包括聯(lián)合收購Arm，以提高業(yè)務競爭力和企業(yè)價值。而根據最新消息，據媒體報道，SK海力士在10月底公開披露中表示，不會聯(lián)合收購Arm。對此，韓國媒體引述專家觀點表示，由于軟銀董事長孫正義開出的價格遠高于實際價值，Arm正在失去其作為收購目標的吸引力。2020年，英偉達曾以400億美元的高價向軟銀求購Arm，但經歷一波三折后英偉達選擇了放棄
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SK海力士 Arm
俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導體原料氣體供應大國，其中氖氣由烏克蘭供應全球近七成產量，而俄羅斯惰性氣體供應量占全球供應總量的30%。隨著俄烏沖突爆發(fā)后，全球氖氣、氙氣等產量大減，全球芯片市場的供應短缺問題加劇。為降低對進口產品的依賴，韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產的氣體。據韓國經濟新聞報道，近日，三星表示，公司將與浦項鋼鐵（POSCO）一起推進半導體核心材料氙氣的本土生產，目前該材料全部依賴進口。目前，大多數韓國芯片制造商和微電子設備制造商依賴進口氣體，這些氣體是生產3D
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三星 SK海力士 大半導體原材料
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