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存儲大廠展示300層NAND Flash,預計最快2024年問世

作者: 時間:2023-03-21 來源:全球半導體觀察 收藏

近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠展示了最新堆疊第八代3D 快閃存儲器原型。表示,新3D 快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202303/444710.htm

外媒報導,揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/s傳輸速率的第七代3D 高18%。更快輸入和輸出速度,有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。

SK海力士研發(fā)團隊稱,第八代3D NAND Flash采用5項新技術。

首先,三重驗證程式(TPGM)功能可縮小單元閾值電壓分布,并將tPROG(編程時間)減少10%,轉化成更高性能。

其次,采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技術,再將tPROG降低約2%。

第三,APR方案可將讀取時間降低約2%,并縮短字線上升時間。

第四,編程虛擬串(PDS)技術可藉由降低通道電容負載縮短tPROG和tR的界線穩(wěn)定時間。

最后,平面級讀取重試(PLRR)功能,允許不終止其他平面下,更改平面的讀取等級,立即發(fā)出后續(xù)讀取命令,提高服務質量(QoS),提高讀取性能。

由于新產品還在開發(fā),SK海力士尚未透露量產時間。盡管如此,有分析師仍預估最早2024年有變化,最遲2025年出現。




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