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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預計年底量產(chǎn)

- 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
- 內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品,采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構,支持廣范的應用場景,提供相比傳統(tǒng)機械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能,并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
- 關鍵字: 美光 數(shù)據(jù)中心 176 層 NAND SATA SSD
SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨立子公司成立僅三個月,兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運營,以創(chuàng)造協(xié)同效應和合作伙伴關系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
- 關鍵字: SK海力士 Solidigm eSSD NAND
針對勒索軟件與網(wǎng)絡攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品
- IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品,瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊并從中恢復;而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境,旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品,瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡彈性機構的研究,46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡攻
- 關鍵字: NAND Flash IBM 閃存
TrendForce:三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響
- 中國西安正受疫情影響而封城,目前尚無法預期解封時間,根據(jù)TrendForce調查,由于三星(Samsung)在當?shù)卦O有兩座大型工廠,均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品,投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達42.3%,占全球亦達15.3%,現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營運。然而,當?shù)胤獬谴胧﹪栏窆芸厝肆骷拔锪?,盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適,但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能,這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外,該公司的原物料進貨也有可能受到物流受阻而延遲,但三星
- 關鍵字: TrendForce 三星 NAND Flash
筆記本電腦與手機火熱 2021年第一季NAND Flash總營收季增5.1%
- 根據(jù)TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營收達148.2億美元,季增5.1%,其中位出貨量成長11%,大致抵消平均銷售單價下跌5%帶來的影響。在議價時,需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁,但數(shù)據(jù)中心市場需求仍屬疲弱,市場尚未脫離供過于求的狀態(tài),各類產(chǎn)品合約價仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而,OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給,自今年一月下旬便開始增加訂單,一方面避免陷入缺貨風險,也希望在料況無虞的情況下,策略性擴大市占,使得第一季NAND
- 關鍵字: NAND Flash
美光專家對176層NAND的解答

- 2020 年11 月,美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND,實現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破(如圖1)。為此,《電子產(chǎn)品世界》采訪了該公司工藝集成技術開發(fā)高級總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線高級經(jīng)理KevinKilbuck。問:176 層產(chǎn)品目前用于哪些應用?Kevin Kilbuck:我們Crucial英睿達品牌的某些消費類固態(tài)硬盤采用了176 層NAND,已經(jīng)開始出貨。問: 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰(zhàn)?如何解決層間干擾?Kunal Parekh: 通過嚴格的試驗和測
- 關鍵字: 202103 NAND
2021年DRAM與NAND增長快,美光領跑研發(fā)與新技術

- 近日,美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會,該公司舉辦了線上媒體溝通會,執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測,以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年,全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測,半導體產(chǎn)業(yè)預計增長可達12%,整個半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中,內(nèi)存與存儲預計增長可達19%,增度遠超整
- 關鍵字: DRAM NAND
美光科技:DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年,NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定
- 存儲芯片大廠美光(Micron)執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示,2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年顯現(xiàn)明顯復蘇,并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品,一種是DRAM(動態(tài)隨機存儲器),用于緩存,另一種是NAND Flash(閃存),用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域,韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱,預期今
- 關鍵字: 美光科技 DRAM NAND
SK海力士90億美元接盤英特爾NAND業(yè)務,存儲芯片格局或生變

- 半導體并購再起。2020年以來,半導體的重磅收購不斷。英偉達擬收購ARM,AMD洽談收購賽靈思,半導體領域接連出現(xiàn)重大變數(shù),金額屢創(chuàng)新高。今天新的主角又登場了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務。本次收購范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤 (SSD) 業(yè)務、NAND閃存和晶元業(yè)務,以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過,英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業(yè)務。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易,超過三星在20
- 關鍵字: SK海力士 英特爾 NAND 存儲芯片
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術的芯片)。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架,針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術,可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示:“利用單一的高能量電子
- 關鍵字: DRAM NAND
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