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美光推出 176 層 3D NAND

作者: 時間:2020-11-10 來源:IT之家 收藏

11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚,宣告了自己最新的第五代 閃存技術,該技術具有 176 層存儲單元堆疊。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202011/420116.htm新的 176 層閃存是與英特爾分手以來所研發(fā)的第二代產(chǎn)品,上一代 則是 128 層設計,算是的過渡節(jié)點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下,美光 128 層 并沒有特別高。此外,雖然升級到了 176 層,但仍落后于三星。

美光方面并未公布太多關于該技術的信息。

176 層 NAND 支持的接口速度為 1600MT / s,高于其 96 層和 128 層閃存的 1200MT / s。與 96L NAND 相比,讀(寫)延遲提高了 35% 以上,與 128L NAND 相比,提高了 25% 以上。與使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模塊相比,美光芯片的總體混合工作負載改善了約 15%。

IT之家了解到,美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產(chǎn),并已在某些英睿達的消費級 SSD 產(chǎn)品中出貨。




關鍵詞: 美光 3D NAND

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