国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁 > 元件/連接器 > 新品快遞 > 三星宣布投產(chǎn)40納米8Gb融合閃存芯片

三星宣布投產(chǎn)40納米8Gb融合閃存芯片

作者: 時(shí)間:2009-03-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
        電子宣布,采用40nm工藝的Flex-OneNAND融合式閃存已經(jīng)投產(chǎn),容量也達(dá)到了8Gb。Flex-OneNAND是在2007年研發(fā)成功的一種新型閃存技術(shù),將單層SLC NAND和多層MLC NAND整合在了一塊硅片上,有利于減少PCB占用空間、降低傳送噪聲、最大化地提高性能和效率。

        稱,通過采用40nm新工藝和8Gb大容量,F(xiàn)lex-OneNAND閃存的生產(chǎn)效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180%。40nm Flex-OneNAND當(dāng)前主要面向智能手機(jī),不過三星認(rèn)為今年底就會(huì)走入全高清電視、網(wǎng)絡(luò)電視(IPTV)和其他高端應(yīng)用領(lǐng)域,而且隨著數(shù)據(jù)傳輸率的提高,會(huì)有越來越多的高端手機(jī)集成1GB乃至32GB嵌入式內(nèi)存。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/92342.htm


關(guān)鍵詞: 三星 芯片

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉