11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因?yàn)橄掠慰蛻?hù)在10月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作，加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開(kāi)始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。

　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶(hù)采購(gòu)顆粒開(kāi)始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來(lái)得顯著。有鑒于9月以來(lái)NAND Flash價(jià)格的連續(xù)下跌幅度已大，集邦科技預(yù)期NAND Flash合約價(jià)在年終假期銷(xiāo)售旺季前的需求支持下，短期內(nèi)可望呈現(xiàn)平穩(wěn)的走勢(shì)。

　　而過(guò)去數(shù)月，下游閃存卡業(yè)者生產(chǎn)1GB microSD時(shí)，一直面臨原料不足的窘境，主要是因?yàn)樯嫌喂┴浬痰?X納米8Gb晶圓產(chǎn)出有限;隨著供貨商制程良率的不斷改善，集邦科技預(yù)估今年底前缺貨問(wèn)題將可逐漸獲得緩解。

　　原本下游閃存卡業(yè)者生產(chǎn)1GB microSD是用兩顆6X納米的4Gb芯片堆棧封裝，但隨著上游供貨商的制程能力提升，業(yè)者可以只用一顆5X納米的8Gb芯片進(jìn)行封裝，對(duì)于生產(chǎn)1GB microSD上有相對(duì)的成本優(yōu)勢(shì)存在;隨著供貨商5X納米8Gb良率問(wèn)題已逐漸解決，閃存卡業(yè)者將較能滿(mǎn)足手機(jī)用戶(hù)在旺季對(duì)1GB microSD的強(qiáng)勁需求，使其在旺季的業(yè)績(jī)也將因此而受惠提升。