引言
在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實際去磁后出現的零電壓進行檢測(ZCD)。在準諧振工作中，重新啟動新一輪導通周期的最佳時機位于功率MOSFET漏極電壓的“谷點”處。電壓ZCD和漏極電壓谷點之間的時間間隔取決于漏極振鈴周期。
本文描述了一種被稱為SOXYLESS的新技術，它無需采用輔助繞組和時間補償元件就能進行“谷點”檢測。

Soxyless原理
圖1表明了反激SMPS的功率MOSFET漏極上的電壓 。

圖1  典型的反激功率開關電壓
為了工作在開關導通準諧振狀態(tài)，最佳時刻必須和漏極電壓的“谷點”相對應。此事件和存儲在漏極總電容中的最小能量相重合：
   （1）
開關導通時該能量越小，SMPS的損耗和干擾就越小。
“谷點”檢測基于對流經功率MOSFET柵極節(jié)點的電流的測量。在功率MOSFET漏極上出現的平坦電壓末端，電壓的變化由Lp變壓器電感與漏極上的總電容之間傳輸的諧振能量決定。當電壓由平坦電平下降至SMPS的VIN dc電壓時，MOSFET漏極上的振蕩電壓便會發(fā)生變化。在柵極和漏極之間，形成一個固有的MOSFET電容。因此，便產生一個電流流經功率MOSFET柵極。
施加到電容上的電壓源提供對電壓有負90