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三星即將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比大降50%

作者:淼淼小鬼 時(shí)間:2022-06-29 來(lái)源:ZOL 收藏

芯研所6月29日消息,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng),將在未來(lái)幾天宣布開(kāi)始批量制造,在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的的過(guò)程中擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。在此之前這家韓國(guó)科技巨頭在向更小的工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)出現(xiàn)了很多產(chǎn)量問(wèn)題,以至于影響了它的一些最大客戶的業(yè)務(wù),如高通公司,該公司現(xiàn)在正考慮將臺(tái)積電用于未來(lái)的移動(dòng)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202206/435716.htm

NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問(wèn)題和相對(duì)較低的能源效率后,正為其下一代產(chǎn)品選擇臺(tái)積電,這些GPU原本是在的8nm工藝節(jié)點(diǎn)上制造的。來(lái)自韓國(guó)當(dāng)?shù)孛襟w的報(bào)道顯示,正準(zhǔn)備宣布開(kāi)始3納米的批量制造,可能最快在本周。這將是對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的一次重大挑戰(zhàn),這也意味著這家韓國(guó)公司將成為第一個(gè)使用全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAAFET)的公司。

三星稱(chēng)其實(shí)施的3納米GAAFET晶體管為多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,但這只是晶體管的一個(gè)技術(shù)名稱(chēng),它背后的優(yōu)勢(shì)才是關(guān)鍵:功率減少50%,占用的空間減少45%,并能在極低電壓下更穩(wěn)定地運(yùn)行。有傳言稱(chēng),三星也已經(jīng)獲得了新工藝節(jié)點(diǎn)的第一批客戶,該公司是否能夠避免重蹈8nm和4nm的覆轍將是值得關(guān)注的。無(wú)論如何,代工業(yè)務(wù)是三星底線的一個(gè)強(qiáng)有力的貢獻(xiàn)者,其一半以上的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)--約67億美元和變化--來(lái)自部門(mén)。




關(guān)鍵詞: 三星 5nm 芯片

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