Nexperia新8英寸晶圓線啟動,生產領先Qrr品質因數80 V/100 V MOSFET
—— 新生產線提高了產能,力求滿足及時供應
Nexperia產品經理Mike Becker指出:“鑒于全球半導體短缺的情況下,Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產能,包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產設備,這對買方來講一個好消息。新型MOSFET的性能也令設計人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關應用,也可以替代其他供應商的產品。”
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202106/426550.htmNextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on),前一代100 V器件為7 m?,而新器件只有4.3 m?,效率大大提高。對于100 V器件,NextPower技術還提供44 nC的極低Qrr,有效降低了尖峰值和EMI干擾??傮w而言,100 V器件的Qrr品質因數平均比競爭對手同類產品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術封裝。器件廣泛適用于開關應用,包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。
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