三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內存生產。

　　三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產品將是64層堆棧的3D NAND閃存。而在DRAM領域,三星也有新的投資計劃,韓國ETNews報道稱三星已經通知設備供應商要擴大韓國華城市(Hwasung)的Line 17工廠,預計投資在2.5萬億到3萬億韓元之間,約合22-26.4億美元。

　　以300mm晶圓計算,擴建之后每月產能將提升3.5萬片晶圓,目前的產能約為4萬片晶圓/月。

　　三星這次擴展Line 17工廠產能的主力產品是10nm級DRAM內存,預計下半年加速生產。注意這里說的是10nm-Class,目前來說應該是18nm工藝的產品了,三星去年宣布量產18nm工藝,之后還會陸續(xù)推出17nm、16nm工藝的DRAM芯片。

　　PS:三星投資擴大DRAM產能是件好事,考慮到他們是全球最大的DRAM供應商,三星此舉有助于推動DRAM市場供應平衡,雖然說DRAM再度降價還是很遙遠的事。另外,隨著紫光公司巨資建設晶圓廠,國內廠商介入NAND、DRAM領域也為期不遠了,盡管他們與三星、SK Hynix等巨頭還有很大差距,不過這對市場來說是個利好,多點競爭總是好事。