標準型內存激戰(zhàn)!臺積電/三星/英特爾誰說了算?
據(jù)韓媒報導,傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機存取內存 (MRAM) 取得重大進展,市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上,三星電子將會發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內存。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201705/358641.htm由于標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限,目前全球半導體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內存“磁電阻式隨機存取內存 (MRAM)”,與含 3D XPoint 技術的“相變化內存 (PRAM)”及“電阻式動態(tài)隨機存取內存 (RRAM)”。
上述三類次世代內存皆具有非揮發(fā)性內存技術,兼具高效能及低耗電之特性,估計這類次世代內存處理速度,將比一般閃存內存還要快上十萬倍。
目前三星電子正大力發(fā)展 MRAM 內存,而另一半導體巨擘英特爾 (INTC-US) 則是強攻含3D XPoint 技術的 PRAM 型內存。
全球最大半導體代工廠臺積電亦曾在4 月13 日對外說明,臺積電絕對不會踏入標準型內存領域,因為臺積電目前已具備“量產”MRAM 及電阻式動態(tài)隨機存取內存 (RRAM) 等新型內存之技術。
據(jù)韓國半導體業(yè)內人士透露,全球半導體巨擘正在次世代內存市場內強力競爭,這很可能將全面改變半導體市場的發(fā)展前景,并成為未來半導體代工的主要業(yè)務之一。
《韓國經(jīng)濟日報》表示,磁電阻式隨機存取內存 (MRAM)、相變化內存 (PRAM)、電阻式動態(tài)隨機存取內存 (RRAM) 等三大次世代內存中,又以 MRAM 的處理速度最快,但也是最難量產的內存類型。
據(jù)了解,目前歐洲最大半導體商恩智浦半導體 (NXPI-US) 已經(jīng)決定采用三星電子的 MRAM 內存,以應用在相關的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。
評論