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各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲(chǔ)器價(jià)格大漲

作者: 時(shí)間:2017-02-28 來(lái)源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

  據(jù)海外媒體報(bào)道,去年下半年以來(lái)Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D,但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NANDFlash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題,價(jià)格也因此明顯上漲。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201702/344538.htm

  不過(guò),隨著3DNAND加速量產(chǎn),下半年產(chǎn)能若順利開(kāi)出,將成為NANDFlash市場(chǎng)最大變數(shù)。

  2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮,如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米,東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進(jìn)入15納米,美光導(dǎo)入16納米等。但因芯片線寬線距已達(dá)物理極限,2DNAND技術(shù)推進(jìn)上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸,用1y/1z納米生產(chǎn)的2DNAND并未出現(xiàn)成本效益,因此,NANDFlash廠開(kāi)始將投資主力放在3DNAND,但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠,NANDFlash產(chǎn)出量明顯減少,導(dǎo)致下半年價(jià)格強(qiáng)勁上漲。

  去年NANDFlash價(jià)格自第2季開(kāi)始全面回升,漲勢(shì)直達(dá)年底,主流的SSD價(jià)格漲幅超過(guò)4成,eMMC價(jià)格最高逼近6成,完成出乎市場(chǎng)意料。在此一情況下,原廠為了維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),決定加速搶進(jìn)3DNAND市場(chǎng),而今年亦成為3DNAND市場(chǎng)成長(zhǎng)爆發(fā)的一年,產(chǎn)能軍備競(jìng)賽可說(shuō)是一觸即發(fā)。

  以各原廠的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看,三星去年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3DNAND,去年底出貨占比已達(dá)35%,最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片,3DNAND的出貨比重將在本季達(dá)到45%。另外,三星不僅西安廠全面量產(chǎn)3DNAND,韓國(guó)Fab17/18也將投入3DNAND量產(chǎn)。

  包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者,去年是3DNAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年,良率直到去年底才見(jiàn)穩(wěn)定回升,生產(chǎn)比重均不及1成。不過(guò),今年開(kāi)始3DNAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn),東芝及WD已開(kāi)始小量生產(chǎn)64層芯片,今年生產(chǎn)主力將開(kāi)始移轉(zhuǎn)至64層3DNAND,除了Fab5開(kāi)始提高投片外,F(xiàn)ab2將在本季轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)64層3DNAND,F(xiàn)ab6新廠將動(dòng)土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。

  SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產(chǎn)上已漸入佳境,M12廠已量產(chǎn)3DNAND,今年決定提升至72層,將在第1季送樣,第2季進(jìn)入小量投片,而韓國(guó)M14廠也將在今年全面進(jìn)入3DNAND量產(chǎn)階段。

  美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進(jìn)行3DNAND量產(chǎn),去年底第二代64層3DNAND已順利送樣,今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn),F(xiàn)10x廠也會(huì)開(kāi)始全面轉(zhuǎn)向進(jìn)行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3DNAND,并將在今年開(kāi)始量產(chǎn)新一代XPoint



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