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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

作者: 時間:2016-07-19 來源:集微網(wǎng) 收藏

  據(jù)海外媒體報道,(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產(chǎn)64層3D Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導,于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式,未來將在此工廠生產(chǎn)64層Flash。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201607/294180.htm

  64層Flash較和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%,雖然價格較高,但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機,這種芯片不僅能擴充數(shù)據(jù)儲存容量,還能提高處理速度。東芝更鎖定持續(xù)大增的數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)儲存需求。

  東芝和西部數(shù)據(jù)(WD)計劃未來3年將在四日市工廠投資1.4兆日圓(132億美元)。東芝已于2016年春開始生產(chǎn)48層NAND Flash,并規(guī)劃2017財年3D NAND Flash將占Nand Flash芯片總產(chǎn)量的50%,到2018財年將占逾80%。

  而三星可能會在2017年下旬于韓國京畿道平澤市啟用半導體工廠,開始生產(chǎn)64層3D NAND Flash芯片。

  堆疊更多層會增加各層未對準的風險,而且常會降低產(chǎn)量。東芝已改進定位技術(shù),因此能堆疊64層。隨著研發(fā)取得進展,東芝決定投入重資,購買造價高昂的3D NAND Flash制造設(shè)備,搶先三星將此技術(shù)推向市場。

  東芝總裁綱川智表示,東芝為贏得市場競爭須勇于投資必要資金。他還表示,東芝將借此世界一流的生產(chǎn)線展現(xiàn)在快閃存儲器的領(lǐng)導地位。

  東芝經(jīng)會計丑聞業(yè)務(wù)精簡后,半導體為目前三大業(yè)務(wù)之一。綱川智表示半導體是東芝的成長動力。該公司2018年財年營業(yè)利益目標為2,700日圓,其中將有1,300億日圓來自半導體業(yè)務(wù)。



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