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三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

作者: 時間:2016-07-14 來源:IT之家 收藏

  據(jù)韓媒BusinessKorea報道,IBM和近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前內(nèi)存的最實際接替者。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201607/294027.htm

  ,即動態(tài)隨機存取存儲器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。

  另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越。

  業(yè)界認為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因為95%的DRAM制造設施都可以用于接下來的STT-MRAM的生產(chǎn),這將大大降低成本并縮短換代周期。



關鍵詞: 三星 DRAM

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