富士通微電子（上海）有限公司日前宣布，東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo-Tech）、富士通實(shí)驗(yàn)室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已經(jīng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)出一種用于新一代非易失鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 這種鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量達(dá)到目前FeRAM生產(chǎn)中使用的材料的五倍。
 
       使用基于BFO的材料，在類似于采用180nm技術(shù)制造FeRAM的裝置內(nèi)，采用富士通的65nm工藝技術(shù)就可以生產(chǎn)出新的FeRAM。這種材料的使用，可以將FeRAM的記憶容量擴(kuò)展到256M bit。 

       鑒于新一代個(gè)人化移動(dòng)電子產(chǎn)品（例如IC卡）必須具有小巧、安全、易于操作等特點(diǎn)，新的FeRAM將在功耗和速度方面有大幅的改善，以便滿足此種需要。 對(duì)于這類電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，F(xiàn)eRAM技術(shù)可以提供最適合的非易失記憶設(shè)備，預(yù)計(jì)樣品將會(huì)在2009年發(fā)布。 

       關(guān)于富士通新款FeRAM材料 

       BFO是由鉍、鐵和氧原子構(gòu)成的具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛(PZT或Pb(Zr,Ti)O3)，但是，它的蓄電能力低，可升級(jí)性有限。PZT的技術(shù)局限在130nm節(jié)點(diǎn)就會(huì)反映出來(lái)，因?yàn)殡S著存儲(chǔ)單元區(qū)的減少，對(duì)極化的要求就越高。這個(gè)技術(shù)局限預(yù)計(jì)將在2009年出現(xiàn)。以前曾開(kāi)發(fā)過(guò)一種加入錳的BFO薄膜電容器，它能夠減少泄漏電流 ，并具有180-220 µC/cm2的交換電(switching charge) Qsw, 這相當(dāng)于剩余極化2Pr的兩倍。 這些都充分顯示了將來(lái)在技術(shù)節(jié)點(diǎn)方面巨大的升級(jí)潛力。 

       采用65nm技術(shù)制造的FeRAM可以使用加入錳的BFO來(lái)制造，其生產(chǎn)設(shè)備與當(dāng)前使用180nm技術(shù)生產(chǎn)FeRAM所用的類似。使用這種新材料的FeRAM還具有極大的可升級(jí)性，能夠使存儲(chǔ)容量達(dá)到2014。 

       應(yīng)用 

       隨著對(duì)BFO的深入開(kāi)發(fā)，大容量的256Mbit FeRAM可以得到實(shí)現(xiàn)，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mbit容量相比，密度將會(huì)高出2個(gè)等級(jí)。密度的提高，使得FeRAM的應(yīng)用將在新的領(lǐng)域(例如，快速啟動(dòng)，它使計(jì)算機(jī)在開(kāi)機(jī)后能夠立刻使用)得到擴(kuò)展，而不再僅限于在安全應(yīng)用領(lǐng)域。FeRAM還可以用于電子紙?jiān)O(shè)備，該設(shè)備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。富士通將會(huì)繼續(xù)其開(kāi)發(fā)和研究計(jì)劃，以便將來(lái)能夠進(jìn)行嵌入式大規(guī)模集成( LSI)。 而關(guān)于BFO材料以及BFO電容器的制造技術(shù)的研究也會(huì)持續(xù)下去。

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