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flash接口電路的實現(xiàn)

作者: 時間:2011-06-01 來源:網(wǎng)絡 收藏

0引言

  我們在進行嵌入式系統(tǒng)設計的過程中,根據(jù)需求,要設計出特定的嵌入式應用系統(tǒng),而嵌入式應用系統(tǒng)的設計包含硬件系統(tǒng)設計和軟件系統(tǒng)設計兩個部分,并且這兩部分設計是互相關聯(lián)、密不可分的,嵌入式應用系統(tǒng)的設計經(jīng)常需要在硬件和軟件設計之間進行權衡與折中。因此,這就要求嵌入式系統(tǒng)設計者具有較深厚的硬件和軟件基礎,并具有熟練應用的能力。在整個設計過程中,硬件設計是系統(tǒng)設計的基礎和核心,而各功能部件在整個設計中的調試又是該環(huán)節(jié)的重點和難點。本文詳細介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器的的調試。

  1 Flash存儲器的引腳信號及各項特性

  1.1 Flash存儲器的特點

  Flash存儲器是一種可在系統(tǒng)(In-System)中進行電擦寫,掉電后信息不會丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程(燒寫)、擦除等特點,并且可由內部嵌入算法完成對芯片的操作,因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。作為一種非易失性存儲器,F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度,編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商,他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式,可通用。

  1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性

  本文以Flash存儲器HY29LV160為例,簡要描述一下Flash存儲器的基本特性:

  HY29LV160的單片存儲容量為16M位(2M字節(jié)),工作電壓為2.7V~3.6V,采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝,16位數(shù)據(jù)寬度,可以以8位(字節(jié)模式)或16位(字模式)數(shù)據(jù)寬度的方式工作。

  HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作,通過對其內部的命令寄存器寫入標準的命令序列,可對Flash進行編程(燒寫)、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作。

  HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號描述分別如圖1和表1所示:

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/150663.htm

圖1 HY29LV160引腳分布(TSOP48封裝)

  表1 HY29LV160的引腳信號描述

引 腳

類型

描 述

A[19:0]

I

地址總線。在字節(jié)模式下,DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位。

DQ[15]/A[-1]

DQ[14:0]

I/O

三態(tài)

數(shù)據(jù)總線。在讀寫操作時提供8位或16位數(shù)據(jù)的寬度。在字節(jié)模式下,DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位,而DQ[14:8]處于高阻狀態(tài)。

BYTE#

I

模式選擇。低電平選擇字節(jié)模式,高電平選擇字模式

CE#

I

片選信號,低電平有效。在對HY29LV160進行讀寫操作時,該引腳必須為低電平,當為高電平時,芯片處于高阻旁路狀態(tài)

OE#

I

輸出使能低電平有效輸出使能,低電平有效。在讀操作時有效,寫操作時無效。

WE#

I

低電平有效寫使能,低電平有效。在對HY29LV160進行編程和擦除操作時,控制相應的寫命令。

RESET#

I

硬件復位,低電平有效。對HY29LV160進行硬件復位。當復位時,HY29LV160立即終止正在進行的操作。

RY/BY#

O

用就緒/忙狀態(tài)指示。用于指示寫或擦除操作是否完成。當HY29LV160正在進行編程或擦除操作時,該引腳位低電平,操作完成時為高電平,此時可讀取內部的數(shù)據(jù)。

VCC

--

3.3V電源

VSS

--

接地

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