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聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

—— 今年實現(xiàn)量產(chǎn)
作者: 時間:2011-01-20 來源:DigiTimes 收藏

  晶圓代工廠投入微機電 ()技術(shù)開發(fā)已3年,19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-感測芯片,預計2011年投入量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/116286.htm

  CMOS-技術(shù)制造的麥克風元件已完成功能驗證,訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平,其性能極具國際競爭力,預計將于2011年上半年提供工程樣品,接著便能進入量產(chǎn)。CMOS-MEMS加速度計的產(chǎn)品開發(fā)也己符合消費性電子產(chǎn)品之應(yīng)用規(guī)格 (1g ~16g),其功能也達量產(chǎn)的目標。

  指出,除已與多家客戶合作開發(fā)各樣的MEMS芯片和高度集成的CMOS-MEMS產(chǎn)品,擴展微機電傳感器于生活或環(huán)境監(jiān)測之高階應(yīng)用之外,聯(lián)電也以自身多樣性的CMOS制程技術(shù),提供微機電專用ASIC芯片之專工服務(wù),以支持各種微機電應(yīng)用。

  聯(lián)電表示,MEMS技術(shù)開發(fā)是一項極大挑戰(zhàn),目前已有不錯成果;客戶MEMS麥克風元件已完成功能驗證,訊噪比可達56dBA以上,預計今年上半年提供工程樣品,隨即可導入量產(chǎn)。

  聯(lián)電MEMS加速度計產(chǎn)品開發(fā)也已符合消費性電子產(chǎn)品的應(yīng)用規(guī)格,功能也達量產(chǎn)目標;此外,聯(lián)電也與多家客戶合作開發(fā)各樣MEMS芯片產(chǎn)品,擴展微機電傳感器在生活或環(huán)境監(jiān)測的高階應(yīng)用。

  聯(lián)電表示,隨著MEMS傳感器應(yīng)用日益普及,MEMS專工服務(wù)需求急遽增加,聯(lián)電未來將開放MEMS技術(shù),提供產(chǎn)業(yè)及學術(shù)界開發(fā)新元件。

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