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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

作者: 時間:2010-08-23 來源:CNBEta 收藏

  與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于制程技術(shù)的3位元型閃存芯片產(chǎn)品,目前他們已經(jīng)將有關的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估,預計這款閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款 閃存芯片的存儲密度為64Gb,為三位元型閃存。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/111941.htm

  這款閃存芯片是由與鎂光合資的IM Flash公司研制,芯片采用了3位元(TLC)型設計,一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù),比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。

  這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有與鎂光公司推出的制程MLC芯片小20%強,而后者則是現(xiàn)有市面上銷售的8GB容量閃存芯片中面積最小的產(chǎn)品。這次推出的25nm制程TLC 64Gb(8GB)NAND閃存芯片的核心面積僅131平方毫米,芯片采用業(yè)內(nèi)標準的TSOP型封裝設計。



關鍵詞: Intel 25nm NAND

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