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海力士開始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

作者: 時間:2010-08-12 來源:SEMI 收藏

  韓國聲稱,在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用技術進行64Gb的閃存量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/111662.htm

  該公司在2月時曾報道擬進行級的64Gb的生產(chǎn),采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。

  稱它的芯片是26nm的一種,有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的閃存,IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。



關鍵詞: 海力士 20納米 NAND

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