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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

作者: 時間:2010-03-23 來源:驅(qū)動之家 收藏

  、美光合資公司-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,新工藝 閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預(yù)計(jì)今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/107201.htm

  IMFT 閃存于今年初宣布投產(chǎn),這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下,并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米,每單位容量 2bit,總?cè)萘?GB,相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番,內(nèi)核面積卻小了十分之一。

   閃存業(yè)務(wù)市場經(jīng)理Troy Winslow打了個比方:新閃存以不超過CD光盤中間孔的大小存儲了十倍于光盤容量的數(shù)據(jù)。

  對于目前閃存設(shè)備容量偏小、使用壽命有限的問題,美光NAND閃存業(yè)務(wù)市場經(jīng)理Kevin Kilbuck聲稱,他們將在幾個月內(nèi)發(fā)布新型固態(tài)硬盤,初步解決這些問題。

  三星宣布將在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存,海力士也已經(jīng)宣布了26nm NAND閃存,不過Troy Winslow表示:“我們相信Intel、美光的領(lǐng)先優(yōu)勢即使沒有9-12個月,也有5個月。”



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