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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求:Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

作者: 時間:2010-02-08 來源:CNBeta 收藏

  在最近舉辦的一次會議上,公司屬下集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)業(yè)務(wù)的一個驚人規(guī)劃,他們計劃在技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場上取得領(lǐng)先地位,但他們并不準備在散片閃存市場 上扮演領(lǐng)軍人的角色。看起來他們并不愿意在風水輪流轉(zhuǎn)的閃存散片市場和三星,現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下,但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來的意圖。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/105971.htm

  不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇,過去他們一旦進入某個市場,那么一定會謀求稱霸,否則他們寧可選擇退出也不愿意作為鳳尾茍活,過去,由于自己的產(chǎn)品在某些市場領(lǐng)域表現(xiàn)不佳,他們最后都選擇了退出,他們曾先后因此而從ASIC市場,通訊IC市場,NOR閃存市場,品牌機市場,超級計算機市場等退出。

  而SSD市場則是另外一回事,今年Intel的SSD硬盤產(chǎn)品計劃可謂雄心勃勃,他們計劃推出基于25nm制程的新款SSD硬盤產(chǎn)品。Rampone表示:”我們想在SSD市場爭奪第一,并且希望SSD產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)主流化,不再是陽春白雪級的產(chǎn)品。“

  往事不堪回首:

  Intel過去在閃存市場的表現(xiàn)可謂幾經(jīng)浮沉,1988年,Intel曾經(jīng)開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款商用化的NOR閃存產(chǎn)品,后來又成為NOR閃存市場上份額最高的廠商,并扮演了NOR閃存市場技術(shù)帶頭人的角色,不過由于當時的NOR閃存市場競爭過于激烈,而且市場需求也并不旺盛,結(jié)果他們在NOR閃存市場反而出現(xiàn)賠本經(jīng)營的情況。

  此后AMD和富士通公司瞅準機會也成立了自己的合資公司Spansion,專門生產(chǎn)NOR閃存 。隨著市場競爭的日益激烈,Intel干脆放棄了自己的NOR閃存業(yè)務(wù),把這部分業(yè)務(wù)與意法半導體公司的閃存業(yè)務(wù)部門合并起來成立了現(xiàn)在的Numonyx NV。

  新的開端:NAND閃存業(yè)務(wù)

  不過Intel并未就此徹底放棄閃存市場。2006年,他們與鎂光合資成立了IM Flash公司,同年這家公司在Lehi地區(qū)耗資20億美元興建了首間300mm晶圓廠,根據(jù)雙方的協(xié)議,IM Flash公司生產(chǎn)的閃存芯片51%將供給鎂光公司,余下的部分則歸Intel所有。

  Intel的合作伙伴鎂光公司初涉NAND市場時僅推出了基于90nm制程的閃存芯片產(chǎn)品,后來又推出了基于72nm制程的產(chǎn)品,相比三星和東芝這樣的競爭對手,其制程技術(shù)方面的落后還是比較明顯的,平均比他們落后了1-2代制程。

  06年IM Flash公司成立的時候,推出的首款產(chǎn)品是基于50nm制程的,2008年他們又推出了34nm制程的產(chǎn)品,Intel和鎂光正是憑借這種34nm制程產(chǎn)品在NAND閃存市場上取得了暫時的領(lǐng)先地位。而現(xiàn)在他們計劃推出的25nm制程8GB容量MLC閃存則讓他們又一次站在了業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先位置上。他們憑借這種技術(shù)將再次超越Sandisk-東芝聯(lián)盟,以及三星的32/30nm制程產(chǎn)品,而另外一個競爭對手Hynix則正計劃推出26nm制程NAND閃存。


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