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韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能

作者: 時間:2010-01-28 來源:DigiTimes 收藏

  韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學說法指出,1組韓國工程師已改良手機用芯片技術,可大幅提升手機性能。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/105587.htm

  首爾大學表示,該團隊研發(fā)的,可克服過去的諸多缺點。負責人表示,盡管能快速回溯資料,但卻因為的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被芯片擊敗。相較之下, Flash可儲存32GB的資料,占據(jù)更大優(yōu)勢。芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。

  一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責教授表示,藉由將NOR芯片彎曲成圓錐狀,將可全面提升該芯片的電子和物理質量,理論上可使其功能達到NAND芯片的水平。

  雖然仍有些為差異,但改良后的NOR芯片基本上可取代NAND芯片,用于各種電子裝置中,特別是手機。然而,由于目前傳統(tǒng)NOR芯片的價格較高,改良后的NOR芯片是否將因為價格而受到發(fā)展限制,仍待觀察。

  不過,對三星電子( Electronics)和其它韓國科技鉅子而言,使用本國的技術將有助于控制成本,進而提高對英特爾(Intel)的競爭力。

  據(jù)悉,包括NOR和NAND芯片的Flash市場,在2010年的規(guī)模將可望超過200億美元,較2009年的180億美元攀升。

  此改良NOR芯片的計劃是由韓國政府資助,共花費4年時間和投入3億韓元(約26.7萬美元)。



關鍵詞: Samsung NAND NOR芯片

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