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2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化

作者: 時間:2010-01-27 來源:DigiTimes 收藏

   Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季,仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn),2010年1月下旬 Flash合約價大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲,低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手,但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限,因此2010年 Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/105543.htm

  近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象,1月下旬NAND Flash合約價持平開出,在高容量32Gb和64Gb芯片方面,由于上游NAND Flash大廠的產(chǎn)出有限,因此合約價出現(xiàn)平盤到小漲3%幅度,也預(yù)告2010年NAND Flash市場發(fā)展逐漸朝兩極化進(jìn)行。

  NAND Flash業(yè)者指出,農(nóng)歷春節(jié)前的大陸客戶買盤陸續(xù)出籠,針對小型記憶卡等產(chǎn)品進(jìn)行補(bǔ)貨,期望1月底的補(bǔ)貨效應(yīng)會更加明顯,但整個市場仍在等待系統(tǒng)大廠的回補(bǔ)行情發(fā)動,尤其是蘋果的補(bǔ)貨效應(yīng),以及新產(chǎn)品平板計算機(jī)iSlate采用高容量NAND Flash芯片,都令市場期待甚深。

  2010 年NAND Flash市場進(jìn)入30奈米制程世代,三星電子(Samsung Electronics) 由42奈米進(jìn)入32奈米制程、海力士()由41奈米進(jìn)入32奈米制程、東芝(Toshiba)由43奈米進(jìn)入32奈米制程,美光 (Micron)和英特爾(Intel)陣營2009年已領(lǐng)先進(jìn)入30奈米世代,2010年則是要進(jìn)入20奈米世代,顯示各陣營在制程微縮上相當(dāng)積極。

  模塊廠認(rèn)為,其實2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)不用擴(kuò)增產(chǎn)能,但單靠制程微縮技術(shù),產(chǎn)出即增加不少。

  同時,2010年三星和東芝也進(jìn)入TLC芯片技術(shù),成本結(jié)構(gòu)大幅下降,但也造成NAND Flash低容量的芯片價格持續(xù)下滑。NAND Flash業(yè)者表示,2010年NAND Flash芯片價格是兩極化發(fā)展,低價芯片在TLC世代下會更便宜,但高階芯片則在系統(tǒng)大廠、手機(jī)應(yīng)用等帶動下,價格會相對持穩(wěn)。

  2010年下游廠認(rèn)為,2009年NAND Flash芯片價格漲上來后,一直維持高檔盤旋,2010年在制程微縮和TLC芯片出籠下,NAND Flash價格波動會較大,尤其傳統(tǒng)淡季和旺季價格會相當(dāng)明顯,因此在操作上需要更加小心。



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