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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成

作者: 時(shí)間:2010-01-14 來(lái)源:cnbeta 收藏

  韓國(guó)內(nèi)存廠(chǎng)商日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備,可在智能手機(jī),平板電腦等移動(dòng)設(shè)備上使用,并稱(chēng)這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/105093.htm

 

  這款產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1066Mbps,并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。

  宣稱(chēng)這款芯片產(chǎn)品采用了制程技術(shù)制作,工作電壓僅1.2V,位寬為32位的配置條件下,使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達(dá)4.26GB/s。另外,這種芯片的耗電量也比前代產(chǎn)品下降了50%左右。



關(guān)鍵詞: Hynix 44nm DDR2 內(nèi)存芯片

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