SK海力士推出1c制程16Gb DDR5 DRAM,明年開始供貨
8月29日,存儲芯片大廠SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10nm級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10nm級的超微細化存儲工藝技術。
SK海力士強調:“隨著10nm級DRAM技術的推進,精細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備,從明年開始供應產品,引領半導體存儲器市場發(fā)展?!?/p>
SK海力士技術團隊表示,公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發(fā)了1c工藝,由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發(fā)生的嘗試錯誤,還可以最有效地將業(yè)界內以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢轉移到1c工藝。
而且,SK海力士在部分EUV工藝中開發(fā)并適用了新材料,也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優(yōu)化,由此確保了成本競爭力。與此同時,在1c工藝上也進行了設計技術革新,與前一代1b工藝相比,其生產率提高了30%以上。
據(jù)介紹,此次推出的1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心,其運行速度為8Gbps(每秒8千兆比特),與前一代相比速度提高了11%。另外,能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來,數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加,如果運營云服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數(shù)據(jù)中心,公司預測其電費最高能減少30%。
SK海力士DRAM開發(fā)擔當副社長金鍾煥表示:“1c工藝技術兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜?,公司將其應用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品群,由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守DRAM市場的領導力,鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業(yè)的地位?!?/p>
編輯:芯智訊-林子
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