7月16日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》引述未具名消息人士報導(dǎo)，三星準(zhǔn)備運用4nm制程，量產(chǎn)第六代高帶寬內(nèi)存——HBM4的邏輯芯粒（logic die）。

據(jù)介紹，邏輯芯粒位于HBM堆疊的最底層，為HBM的核心元件。目前DRMA制造商已能為HBM3E等現(xiàn)有產(chǎn)品制造邏輯晶粒，但HBM4具備客戶要求的客制化功能，因此需要額外導(dǎo)入晶圓工序。

目前，4nm是三星主打的先進制程工藝，良率超過70%。三星也運用這項制程生產(chǎn)其旗艦AI智能手機Galaxy S24所搭載的Exynos 2400處理器。

一名業(yè)界人士指出，“4nm制程遠比7nm、8nm昂貴，但芯片性能與功耗的表現(xiàn)也更好。”“目前三星是以10nm制程生產(chǎn)HBM3E的邏輯芯粒，現(xiàn)在計劃運用4nm來生產(chǎn)，是希望借此奪得HBM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

SK海力士今年4月已宣布與臺積電合作，依據(jù)雙方最近在臺北敲定的備忘錄，兩家半導(dǎo)體巨頭將合作開發(fā)第六代HBM4芯片，預(yù)計2026年量產(chǎn)。

編輯：芯智訊-浪客劍