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武漢新芯啟動(dòng)IPO輔導(dǎo),長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股公司持股超68%!

發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2024-05-31 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

5月13日消息,據(jù)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)信息,武漢新芯集成電路股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”)近期在湖北證監(jiān)局披露了IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告,這一動(dòng)作預(yù)示著武漢新芯正式開啟了公司IPO上市進(jìn)程。

據(jù)武漢新的IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告顯示,武漢新芯目前控股股東為長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)存集團(tuán)”),持股比例為68.1937%,法定代表人為楊士寧。該公司IPO輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)由國(guó)泰君安及華源證券兩家共同擔(dān)綱。

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資料顯示,武漢新芯成立于2006年,是一家專注于NOR Flash存儲(chǔ)芯片的集成電路制造企業(yè),擁有華中地區(qū)首條12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目。截至2017年底,武漢新芯NOR Flash晶圓出貨量已超過(guò)75萬(wàn)片,覆蓋從消費(fèi)類到工業(yè)級(jí)、乃至汽車規(guī)范的全部NOR Flash市場(chǎng),并于當(dāng)年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。2020年,武漢新芯宣布,其自主研發(fā)的50納米浮柵式代碼型閃存(SPI NOR Flash)芯片實(shí)現(xiàn)全線量產(chǎn)。

官網(wǎng)資料顯示,目前武漢新芯可提供40nm及以上工藝制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。

需要指出的是,武漢新芯原為長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)全資子公司。今年3月初,武漢新芯宣布首度接受外部融資,注冊(cè)資本由約57.82億人民幣增至約84.79億人民幣。本輪投資方包括了武漢光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資有限公司、中國(guó)銀行、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等30家知名投資機(jī)構(gòu)。

3月27日,武漢新芯還在武漢召開創(chuàng)立大會(huì)暨第一次股東大會(huì)。會(huì)議通過(guò)了公司章程和其它治理制度,選舉了股份公司第一屆董事會(huì)、監(jiān)事會(huì)成員,并召開了董事會(huì)和監(jiān)事會(huì)第一次會(huì)議。

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據(jù)武漢新芯IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告顯示,目前長(zhǎng)存集團(tuán)為武漢新芯控股股東,持股比例高達(dá)68.1937%。

作為國(guó)內(nèi)最大的NAND Flash晶圓制造商,長(zhǎng)江存儲(chǔ)早在2017年10月,就通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式,成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存。2019年,量產(chǎn)了基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存。2020年4月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)又宣布128層的3D NAND研發(fā)成功,其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存,擁有發(fā)布之時(shí)*業(yè)界*最高的I/O速度,最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量。

隨后國(guó)外權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Tech Insights對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層TLC 3D閃存進(jìn)行了芯片級(jí)的拆解,發(fā)現(xiàn)其存儲(chǔ)密度達(dá)到了目前業(yè)界最高的8.48 Gb/mm2。

2022年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還曾一度打入了蘋果iPhone供應(yīng)鏈,為iPhone SE3供應(yīng)NAND,但是由于美國(guó)對(duì)蘋果的施壓,便沒(méi)有了后續(xù)。2022年四季度,美國(guó)升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體出口管制政策,限制128層及以上NAND設(shè)備對(duì)華出口,及將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入實(shí)體清單后,使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)的發(fā)展受到了一定的阻礙。

值得注意的是,為了反擊美國(guó)的打壓,2023年11月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美光科技和美光消費(fèi)類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟,指控美光侵犯了其8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。

市場(chǎng)分析人士認(rèn)為,武漢新芯啟動(dòng)融資并推進(jìn)IPO進(jìn)程,主要是為了支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)在關(guān)鍵發(fā)展時(shí)期的大規(guī)模擴(kuò)張。由于長(zhǎng)存集團(tuán)的體量龐大,三年內(nèi)實(shí)現(xiàn)上市難度較高,因此選擇將武漢新芯作為上市主體,以提供新的融資渠道。

編輯:芯智訊-浪客劍


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