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三星挖臺(tái)積電墻角!

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2024-03-09 來源:工程師 發(fā)布文章

3 月 8 日消息,據(jù)韓媒報(bào)道,Meta首席執(zhí)行官扎克伯格近期訪問韓國(guó)期間,和三星探討了潛在合作,部分AI芯片訂單有望交由三星代工。


圖片


韓媒援引了匿名韓國(guó)高官的內(nèi)容,表示尹錫悅會(huì)晤扎克伯格期間,扎克伯格表達(dá)了 Meta 當(dāng)前過于依賴臺(tái)積電的擔(dān)憂,表示臺(tái)積電當(dāng)前產(chǎn)能吃緊,代工狀態(tài)存在諸多“不確定”因素,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看可能會(huì)影響 Meta 的供應(yīng)。


據(jù)悉,Meta 目前已委托臺(tái)積電生產(chǎn)兩款人工智能芯片,三星代工業(yè)務(wù)面臨的最大挑戰(zhàn)在于良品率。


三星代工業(yè)務(wù)的良品率較低,因此蘋果、高通和谷歌將訂單轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。如果 Meta 真的轉(zhuǎn)向三星生產(chǎn)下一代人工智能芯片,那么他們合作成功的關(guān)鍵仍然在于良品率。


根據(jù)三星之前的路線圖,2 納米 SF2 工藝將于 2025 年亮相。與 3 納米的第二代 3GAP 工藝相比,在相同頻率和復(fù)雜度的情況下,它的能效提高了 25%,在相同功耗和復(fù)雜度的情況下,它的性能提高了 12%,同時(shí)芯片面積減少了 5%。


根據(jù)三星晶圓代工論壇(SFF)的計(jì)劃,三星將于 2025 年開始量產(chǎn)用于移動(dòng)應(yīng)用的 2 納米工藝(SF2),2026 年擴(kuò)展到高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用,2027 年進(jìn)一步擴(kuò)展到汽車領(lǐng)域和預(yù)期的 1.4 納米工藝。


來源:國(guó)芯網(wǎng)


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關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電

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