導讀：近日中國電科公布一系列成果，顯示在國產碳化硅（SiC）設備及器件上取得突破。

圖：中電科55所生產線

4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。

報道稱，750V碳化硅功率芯片技術達到國際先進水平，目前已正式進入產品級測試階段。

在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術團隊圍繞新結構、新工藝、新材料開展聯(lián)合攻關，實現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產、封裝結構設計、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關鍵環(huán)節(jié)全流程自主創(chuàng)新。

圖：中電科SiC MOSFET產線（CCTV）

據(jù)CCTV報道，55所此前已在國內率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批產技術，碳化硅MOSFET器件在新能源汽車上批量應用，裝車量達百萬輛，處于國內領先地位，5G****用氮化鎵功率管和高線性二極管等系列產品性能及可靠性國內領先。

同時，在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設備端，中國電科48所研制的碳化硅外延爐出貨量同比大幅增長。

據(jù)悉，由于碳化硅材料高熔點、高密度、高硬度的特性，使芯片具備了耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，碳化硅外延生長爐是晶圓制造環(huán)節(jié)的專用核心裝備。

圖：中電科48所SiC外延生長設備

碳化硅外延生長爐，主要用于在碳化硅晶圓襯底上生長同質外延材料，每一顆碳化硅芯片都是基于外延層制造的結晶。48所技術專家表示，碳化硅外延生長爐是承接襯底和芯片制造的關鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的等級和良率。

早期國內碳化硅外延片研究和生產幾乎全部依賴進口，48所通過自主研發(fā)，研制出完全對標國外設備性能的6英寸碳化硅外延爐，經過用戶上線使用驗證，設備的技術指標均達到行業(yè)應用的主流水平，有力支撐了國產碳化硅芯片產業(yè)的大規(guī)?？焖侔l(fā)展。

據(jù)報道，隨著國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（湖南）的實體化運行，48所以外延、注入、氧化、激活等專用裝備為核心，結合立式擴散爐、PVD等通用設備和半導體芯片生產線建線經驗，實現(xiàn)國內唯一從碳化硅外延到芯片核心設備的全覆蓋，進一步助力國產碳化硅芯片制造“換道超車”。