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世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。
  • 關鍵字： 羅姆  半導體  SiC  

用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

  • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術的未來，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發(fā)揮其
  • 關鍵字： 羅姆  太陽能  SiC  

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
  • 關鍵字： 瑞薩電子  功率器件  SiC  

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續(xù)引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
  • 關鍵字： 科銳  SiC  MOSFET  

羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  

研華推出新型COM-Ultra模塊

  • 作為全球嵌入式計算平臺領導廠商、并提供跨越多個垂直市場的嵌入式平臺解決方案的研華公司，今日推出了一款基于Intel N455處理器的COM-Ultra模塊--SOM-7562 B1。這款采用Intel N455處理器的新型B1版本模塊作為升級產(chǎn)品，內(nèi)存技術由DDR2更新至DDR3，且具備更寬的溫度范圍(-40 ~ 85° C)，而其功耗僅為5 V的可選版本更是具備非常強的競爭力。
  • 關鍵字： 研華  COM-Ultra  SOM-7562 B1  

羅姆半導體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強勁動力

  • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  LED  

富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

  • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。 　　
  • 關鍵字： 富士電機  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

  • 引言　　隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
  • 關鍵字： 設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： SiC  寬帶功率放大器  模塊設計  放大電路  

利用SiC大幅實現(xiàn)小型化 安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)

  • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達及馬達的驅(qū)動部構成。通過...
  • 關鍵字： 安川電機  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場

  • 　　在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?！　?/li>
  • 關鍵字： Xilinx  Semico  SIC  

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。 　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
  • 關鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  
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