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使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！　?、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
關(guān)鍵字： CMOS，集成電路

25億美元CIS大項(xiàng)目開(kāi)創(chuàng)南京新產(chǎn)業(yè)板塊

　　上周五，德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產(chǎn)業(yè)園”項(xiàng)目正式落戶(hù)南京開(kāi)發(fā)區(qū)。該項(xiàng)目總投資約25億美元，建成后將填補(bǔ)中國(guó)CIS產(chǎn)業(yè)的空白，主導(dǎo)中國(guó)的CIS市場(chǎng)?！　D像傳感器是數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件不同，可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類(lèi)。相機(jī)和智能手機(jī)的拍照功能離不開(kāi)圖像傳感器芯片，市場(chǎng)很大。但CIS所屬的集成電路產(chǎn)業(yè)是內(nèi)地的薄弱產(chǎn)業(yè)，芯片目前已超過(guò)石油，成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品。　　“中國(guó)必須擁有自己的CIS設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和自主品牌?！毕愀鄣驴拼a科技有限
關(guān)鍵字： CMOS CCD

“芯”技術(shù)，“芯”夢(mèng)想

　　2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)──華虹半導(dǎo)體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(zhǎng)三角、西部地區(qū)的150多位IC設(shè)計(jì)精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！　」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場(chǎng)，與參會(huì)嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
關(guān)鍵字：華虹 RF-CMOS

我國(guó)研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會(huì)

　　長(zhǎng)久以來(lái)，我國(guó)用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開(kāi)的第十七屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(高交會(huì))上，由我國(guó)研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國(guó)一直以來(lái)都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。　　圖像傳感器可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，是所有成像設(shè)備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數(shù)直接決定了成像設(shè)備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率，成像速
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

關(guān)于運(yùn)放的參數(shù)和選擇

　　本文講述運(yùn)放的參數(shù)和選擇方面的知識(shí)，希望對(duì)有需要的讀者有幫助。　　偏置電壓和輸入偏置電流　　在精密電路設(shè)計(jì)中，偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測(cè)定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。　　低偏置電壓的指標(biāo)在高增益電路設(shè)計(jì)中很重要，因?yàn)槠秒妷航?jīng)過(guò)放大可能引起大電壓輸出，并會(huì)占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應(yīng)和張力測(cè)
關(guān)鍵字：運(yùn)放 CMOS

東芝正式宣布半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革計(jì)劃

　　東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。　　第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠(chǎng)的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給索尼。完成轉(zhuǎn)讓后，該工廠(chǎng)將成為索尼全資子公司——索尼半導(dǎo)體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。　　另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)讓?zhuān)c之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
關(guān)鍵字：東芝 CMOS

最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題

　　本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。　　重要信號(hào)線(xiàn)的上下拉問(wèn)題　　一般說(shuō)來(lái)，不光是重要的信號(hào)線(xiàn)，只要信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)可能出于無(wú)驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。　　比如說(shuō)，一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高，沒(méi)有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護(hù)二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導(dǎo)通，對(duì)器件壽命造成影響。　　總線(xiàn)上當(dāng)所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現(xiàn)。因?yàn)檫@時(shí)讀寫(xiě)控制
關(guān)鍵字： CMOS TTL

中國(guó)借力美國(guó)矽谷“超越摩爾定律”

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)因?yàn)閯?chuàng)投社群對(duì)硬件開(kāi)發(fā)領(lǐng)域興趣缺缺而沮喪了好長(zhǎng)一段時(shí)間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
關(guān)鍵字：摩爾定律 CMOS

Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購(gòu)可能

　　Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬(wàn)提高至4，240萬(wàn)，同時(shí)加強(qiáng)自動(dòng)對(duì)焦(AF)與防手震功能。　　日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，該相機(jī)并有399個(gè)相位對(duì)焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102，400，結(jié)合了高解析、高感光及高速對(duì)焦的機(jī)種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日?qǐng)A(約3，800美
關(guān)鍵字： Sony CMOS

一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
關(guān)鍵字： DC-DC CMOS

艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺(tái)。基于該高壓制程平臺(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對(duì)20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
關(guān)鍵字：艾邁斯 CMOS

使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題：　　1、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)

　　現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。　　因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑
關(guān)鍵字： TTL，CMOS

CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求

　　簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線(xiàn)，再由電壓線(xiàn)分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。　　引言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面
關(guān)鍵字： CMOS ESD

學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的

　　簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 　　1、CS單管放大電路　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線(xiàn)性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
關(guān)鍵字： CMOS MOSFET