si-cmos 文章進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)

使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題?！　?、電源問題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。　　1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小?！　?/li>
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

　　歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬(wàn)美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。　　除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對(duì)焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
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CMOS傳感器，3D化發(fā)表接二連三

　　在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國(guó)舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項(xiàng)演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項(xiàng)演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試，而此次的3項(xiàng)技術(shù)除了比原來具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識(shí)之外，還在3D化中輕松實(shí)現(xiàn)了“模塊化”。　　 ? 　　通過模塊化手段
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摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代

　　在英特爾(Intel)負(fù)責(zé)晶圓廠業(yè)務(wù)的最高長(zhǎng)官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長(zhǎng)的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。　　“如果我們能專注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟(jì)學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國(guó)舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上對(duì)近3,000名與會(huì)者表示：“而超越CMOS，我們將看
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歷時(shí)兩年,清芯華創(chuàng)完成對(duì)OmniVision收購(gòu)

　　美國(guó) CMOS 圖像感測(cè)器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國(guó)清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購(gòu)，從清芯華創(chuàng)等提出收購(gòu)邀約到完成并購(gòu)歷時(shí)長(zhǎng)達(dá)兩年，而在消息公布同時(shí)，豪威也于 28 日暫停在那斯達(dá)克證券市場(chǎng)的交易。　　　　豪威 28 日宣布，與中國(guó)清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購(gòu)，豪威以每股 29.75 美元、總計(jì) 19 億美元代價(jià)授予中國(guó)該基金，并于 28 日起于那斯達(dá)克證券市場(chǎng)暫停交易。據(jù)悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來自清
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回顧全球平板顯示行業(yè)的2015：新格局新常態(tài)

　　2015年，對(duì)于顯示面板產(chǎn)業(yè)而言，注定是不平凡的一年。全球來看，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入深度調(diào)整和高速發(fā)展期，轉(zhuǎn)型升級(jí)步伐不斷加快，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)日益激烈;國(guó)內(nèi)來看，產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，核心競(jìng)爭(zhēng)力逐步增強(qiáng)，液晶面板產(chǎn)能過剩卻隱憂暗藏?？傊?，2015年顯示面板產(chǎn)業(yè)既有技術(shù)提升和創(chuàng)新帶來的變革，也有市況與價(jià)格戰(zhàn)帶來的重重考驗(yàn);既有順應(yīng)市場(chǎng)需求而快速崛起的新勢(shì)力，也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始，我們對(duì)行業(yè)進(jìn)行梳理和總結(jié)，通過七個(gè)關(guān)鍵詞來回顧全球顯示面板產(chǎn)業(yè)不平凡的2015年，同時(shí)提煉產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，以窺2016。
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【E課堂】數(shù)字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點(diǎn)

　　隨著數(shù)字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數(shù)字電路中的△I噪聲正逐步成為數(shù)字系統(tǒng)的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點(diǎn)，對(duì)認(rèn)識(shí)△I噪聲特性進(jìn)而抑制△I噪聲具有實(shí)際意義?！　》聪嗥魇菙?shù)字設(shè)計(jì)的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點(diǎn)?！　? △I噪聲的產(chǎn)生　　1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生　　TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩(wěn)定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時(shí)，電源提供的電流IH和I
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主流a-Si面板逐漸被LTPS、AMOLED取代

　　TrendForce旗下光電事業(yè)處WitsView最新研究報(bào)告顯示，2015年全球智能手機(jī)面板出貨有機(jī)會(huì)達(dá)到18.2億片，2016年上看19.5億片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規(guī)格的智能手機(jī)面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時(shí)，受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響，AMOLED規(guī)格的智能手機(jī)面板出貨比重也有機(jī)會(huì)由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。　　WitsView資深研究經(jīng)理范博毓表示，F(xiàn)HD機(jī)種往中端手機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)張的態(tài)勢(shì)確
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索尼正式加入汽車熱潮：設(shè)立車用CMOS芯片部門

　　汽車行業(yè)(汽車電子、車聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個(gè)熱門領(lǐng)域，其中蘋果也跟進(jìn)谷歌(微博)，開始研發(fā)電動(dòng)車。而在日前，日本索尼公司也對(duì)架構(gòu)進(jìn)行了重組，設(shè)立了獨(dú)立的汽車業(yè)務(wù)部門，擬開發(fā)車用CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)。　　據(jù)“今日日本”網(wǎng)站12月28日?qǐng)?bào)道，索尼日前對(duì)外公布了公司架構(gòu)的重組事宜以及人事變化，架構(gòu)調(diào)整將會(huì)從2016年1月1日生效。　　索尼宣布，在“設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)集團(tuán)”下，新設(shè)立三個(gè)部門，“汽車業(yè)務(wù)”
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索尼新增車載事業(yè)部，CMOS傳感器做臥底？

　　索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機(jī)構(gòu)改革方案。在機(jī)構(gòu)改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設(shè)了3個(gè)組織。　　新設(shè)的三個(gè)組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開發(fā)部。雖然詳情未公布，不過可以看出此舉目的是強(qiáng)化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工。　　在智能手機(jī)及數(shù)碼相機(jī)等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國(guó)安森美半導(dǎo)體表示自己份額第一，“索尼并不是
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索尼在器件部門新設(shè)車載事業(yè)部

　　索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機(jī)構(gòu)改革方案。在機(jī)構(gòu)改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設(shè)了3個(gè)組織?！　⌒略O(shè)的三個(gè)組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開發(fā)部。雖然詳情未公布，不過可以看出此舉目的是強(qiáng)化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工(參閱本站報(bào)道)?！　≡谥悄苁謾C(jī)及數(shù)碼相機(jī)等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國(guó)安森美半導(dǎo)體表示自己份額第一，“索尼并不是第一
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

　　由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?！　MOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護(hù)電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實(shí)現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì)存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當(dāng)好，僅僅會(huì)存在小于1皮安的殘余誤差電流
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10位65MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADC10065的原理和應(yīng)用

　　ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D轉(zhuǎn)換器，它的轉(zhuǎn)換速率可達(dá)65MSPS，標(biāo)稱功耗僅為68.4mW，且保證不失碼。文中介紹了該芯片的主要參數(shù)、工作原理和引腳功能，給出了ADC10065的簡(jiǎn)單應(yīng)用電路。　　1ADC10065的主要特點(diǎn)　　ADC10065是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的一款低功耗、單電源供電的CMOS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器。該芯片在3V單電源供電時(shí)，能以65MSPS的采樣速率將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)為精確的10 位數(shù)字信號(hào)，而功耗僅為68.4mW，其備
關(guān)鍵字： CMOS ADC10065