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ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  隔離式降壓轉(zhuǎn)換器  功率轉(zhuǎn)換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅(qū)動  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計(jì)

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計(jì)增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車和大功率無人機(jī)等應(yīng)用。EPC9186在每個(gè)開關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達(dá)200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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工藝設(shè)計(jì)套件將 POI 基板用于 RF 濾波器

  • 本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預(yù)測和優(yōu)化下一代 GPU 的電源行為，其中高轉(zhuǎn)換率要求和超過 1,000 A 的電流水平需要更快的瞬態(tài)響應(yīng)。如今，圖形處理單元 (GPU) 具有數(shù)百億個(gè)晶體管。隨著每一代新一代 GPU 的出現(xiàn)，GPU 中的晶體管數(shù)量不斷增加，以提高處理器性能。然而，晶體管數(shù)量的增加也導(dǎo)致功率需求呈指數(shù)增長，這使得滿足瞬態(tài)響應(yīng)規(guī)范變得更加困難。本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預(yù)測和優(yōu)化下一
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊(duì)

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
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寬帶多通道調(diào)試信號分析利器，滿足RF新技術(shù)復(fù)雜測試要求

  • RF復(fù)雜測試對測試設(shè)備提出更高需求無線通信系統(tǒng)的不斷更新產(chǎn)生了對先進(jìn)RF測試設(shè)備的需求，以滿足這項(xiàng)新技術(shù)的復(fù)雜測試要求。這些測試設(shè)備需要能夠處理更高的頻率、更寬的帶寬和更復(fù)雜的調(diào)制方案。?   波束成形：使用先進(jìn)的波束成形技術(shù)來提高信號強(qiáng)度和質(zhì)量。多通道測試應(yīng)側(cè)重于測試系統(tǒng)的波束成形能力，包括波束控制、波束跟蹤和波束成形算法性能。?   大規(guī)模MIMO：大規(guī)模MIMO技術(shù)涉及使用大量天線來提高信號質(zhì)量和容量。多通道測試應(yīng)側(cè)重于測試大規(guī)模MIMO系統(tǒng)的性能，包括天線放
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氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來的關(guān)鍵

  • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载?fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵。”?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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GaN 出擊

  • 自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

  • 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計(jì)用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換，設(shè)備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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GaN 良率受限，難以取代 IGBT

  • GaN 要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  收購  SiC  GaN  

GaN 時(shí)代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

  • 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功
  • 關(guān)鍵字： GaN  HEMT  短路保護(hù)  
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