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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時(shí)還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計(jì)。　　新IC采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長(zhǎng)幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬(wàn)美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，GaN功率開關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費(fèi)者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會(huì)率先用到氮化鎵呢？
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級(jí)聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄

德州儀器(TI)今日宣布與中國(guó)領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級(jí)共同運(yùn)營(yíng)的聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計(jì)以助力中國(guó)新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國(guó)在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國(guó)城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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是德科技推出新型高性能微波手持式分析儀，加快 5G、雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)的安裝速度

是德科技近日推出一款新型高性能微波手持式分析儀，可以加快 5G、雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)的安裝速度。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案，旨在加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個(gè)安全互聯(lián)的世界。全球毫米波頻譜中的 5G 新空口（NR）業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)，衛(wèi)星通信系統(tǒng)的部署數(shù)量顯著上升，這對(duì)經(jīng)濟(jì)高效的外場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)測(cè)試、監(jiān)控和故障診斷工具提出了更高的要求。是德科技的新型 FieldFox 微波手持式分析儀支持更高的頻率范圍，測(cè)量完整性可以媲美實(shí)驗(yàn)室用的儀器。新型寬帶分析儀是一款緊湊、耐用的多功能工具，可供用戶安裝毫米波基礎(chǔ)設(shè)施，從而對(duì)外場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)
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Microchip推出可防止GPS干擾和欺騙的新版SyncServer S600系列時(shí)間服務(wù)器

任務(wù)關(guān)鍵型網(wǎng)絡(luò)和其他重要的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施需要不斷從網(wǎng)絡(luò)時(shí)間服務(wù)器接收到準(zhǔn)確的時(shí)間信息，才能保持可靠運(yùn)行。但這些服務(wù)器易遭受到全球定位系統(tǒng)（GPS）干擾和欺騙這類的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日推出一項(xiàng)解決方案，通過(guò)將其BlueSky技術(shù)信號(hào)異常檢測(cè)軟件集成到SyncServer S600系列網(wǎng)絡(luò)時(shí)間服務(wù)器和儀器中，成功解決這一難題。Microchip是首家將GPS干擾和欺騙檢測(cè)和保護(hù)以及本地射頻（RF）數(shù)據(jù)記錄和分析完全集成在一個(gè)時(shí)間服務(wù)器內(nèi)的公司。
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砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國(guó)跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái)，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績(jī)斐然，在國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
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泛林集團(tuán)推出革命性的新刻蝕技術(shù)，推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造

通過(guò)技術(shù)和Equipment Intelligence?（設(shè)備智能）的創(chuàng)新，Vantex?重新定義了高深寬比刻蝕，助力芯片制造商推進(jìn)3D NAND和DRAM的技術(shù)路線圖。近日，泛林集團(tuán) 近日發(fā)布了專為其最智能化的刻蝕平臺(tái)Sense.i?所設(shè)計(jì)的最新介電質(zhì)刻蝕技術(shù)Vantex??；诜毫旨瘓F(tuán)在刻蝕領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，這一開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)將為目前和下一代NAND和DRAM存儲(chǔ)設(shè)備提供更高的性能和更大的可延展性。泛林集團(tuán)Vantex?新型刻蝕腔室搭載其行業(yè)領(lǐng)先的Sense.i?刻蝕平臺(tái)3D存儲(chǔ)設(shè)備通
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2021：中國(guó)連接器市場(chǎng)呈現(xiàn)新多樣化

IDC預(yù)計(jì)，2021年全球物聯(lián)網(wǎng)支出將恢復(fù)兩位數(shù)的增長(zhǎng)率，并在2020—2024年的預(yù)測(cè)期間實(shí)現(xiàn)11.3%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）。機(jī)器對(duì)機(jī)器（M2M）通信采用UWB、WLAN、Zigbee、藍(lán)牙等低功耗網(wǎng)絡(luò)傳輸數(shù)據(jù)，推動(dòng)著物聯(lián)網(wǎng)的普及。NB-IoT、LTE Cat-M等LPWAN技術(shù)和5G高效傳輸網(wǎng)絡(luò)的出現(xiàn)，也加速了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。3G和4G網(wǎng)絡(luò)促進(jìn)了人與人之間的無(wú)線通信，而5G網(wǎng)絡(luò)則將連接范圍擴(kuò)大到了“事物”之間，這一轉(zhuǎn)變促使人們開發(fā)多樣化的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，應(yīng)對(duì)各種各樣的行業(yè)和環(huán)境挑戰(zhàn)。徐蘇翔TE C
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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在輕度混合動(dòng)力汽車中利用GaN實(shí)現(xiàn)雙電池管理

John Grabowski：安森美半導(dǎo)體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場(chǎng)工程師，部門位于美國(guó)密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導(dǎo)體，此前他曾在福特汽車公司研究實(shí)驗(yàn)室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電氣、混合動(dòng)力汽車和汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)。最近，他的團(tuán)隊(duì)積極推動(dòng)將高功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對(duì)氣候變化，汽車減排降油耗勢(shì)在必行。如今，許多國(guó)家/地區(qū)的法律強(qiáng)制要求汽車制造商做出這些改變。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，其中一種方式就是采用混合動(dòng)力，即在汽油或柴油車輛的傳動(dòng)鏈中
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