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使用高速數(shù)據(jù)轉換器快速取得成功的關鍵
- 無論是設計測試和測量設備還是汽車激光雷達模擬前端（AFE），使用現(xiàn)代高速數(shù)據(jù)轉換器的硬件設計人員都面臨高頻輸入、輸出、時鐘速率和數(shù)字接口的嚴峻挑戰(zhàn)。問題可能包括與您的現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）相連、確信您的首個設計通道將起作用或確定在構建系統(tǒng)之前如何對系統(tǒng)進行最佳建模。本文中將仔細研究這些挑戰(zhàn)?？焖俚南到y(tǒng)開發(fā)開始新的硬件設計之前，工程師經(jīng)常會在自己的測試臺上評估最重要的芯片。一旦獲得了運行典型評估板所需的設備，組件評估通常會在理想情況的電源和信號源下進行。TI大多數(shù)情況下會提供車載電源和時鐘，以便您可使
- 關鍵字： RF AMI AFE FPGA ADC
第三代芯片徹底火了！45家公司實證涉足三代半導體
- 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務，或已出貨相關產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
- 關鍵字： 第三代芯片 三代半導體 GaN
面向新基建的GaN技術
- 新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網(wǎng)基礎設施和汽車
- 關鍵字： OBC GaN 202009
Mentor 通過臺積電最新的3nm 工藝技術認證
- Mentor, a Siemens business 近日宣布旗下多條產(chǎn)品線和工具已經(jīng)通過臺積電?(TSMC)最新的3nm (N3) 工藝技術認證。臺積電設計基礎架構管理事業(yè)部高級總監(jiān)Suk Lee 表示：“此次認證進一步體現(xiàn)了Mentor對于雙方共同客戶以及臺積電生態(tài)系統(tǒng)的突出價值。我們很高興看到Mentor的系列領先平臺正不斷地獲得臺積電認證，以幫助我們的客戶使用最先進的工藝技術在功耗和性能方面獲得大幅提升，進而成功實現(xiàn)芯片設計?！贝舜潍@得臺積電N3工藝認證的 Mentor 產(chǎn)品包括Anal
- 關鍵字： IC RF
推動半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)兩位數(shù)增長
- 如今“顛覆性”一詞可能被過度使用，但它通常只適用于一種技術。例如，當90年代末期PC產(chǎn)業(yè)真正開始騰飛時，半導體行業(yè)就出現(xiàn)了一段兩位數(shù)增長的時期。盡管業(yè)界盡了最大努力，但直到21世紀初期手機的出現(xiàn)改變了這一切，這種情況才得以重演。許多人都在尋找下一個具有顛覆性的技術，以引發(fā)半導體行業(yè)再來一段兩位數(shù)的市場增長時期。一段時間以來，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）一直被視為是這一觸發(fā)器，但或許由于其迥然不同的性質，它尚未真正產(chǎn)生這樣的影響。但是，現(xiàn)在隨著5G技術的出現(xiàn)，對人工智能的興趣和發(fā)展的增加，云計算的持續(xù)重要性，以及增強/
- 關鍵字： IoT PC IDM ASP SMS AiP RF
e絡盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應用開發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商 e絡盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關專業(yè)知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發(fā)并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡相關技術。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
- 關鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
新型F1490射頻放大器具有超低靜態(tài)電流可降低功耗、提高增益鏈路余量，且性能穩(wěn)定
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布進一步擴展其強大的射頻放大器產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品F1490，可提供遠低于競品的靜態(tài)電流（75mA）。F1490作為第二代高增益2級射頻放大器，涵蓋從1.8 GHz到5.0 GHz的關鍵sub-6GHz 5G頻段。F1490為設計人員簡化發(fā)射鏈路的器件選型、消除增益模塊并保持增益余量，同時提供兩種可選的增益模式，從而為系統(tǒng)設計帶來更高靈活性、更低功耗和更強大性能。瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen Yanduru?表示：“F149
- 關鍵字： QFN CATV RF IF
GaN 器件的直接驅動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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