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內(nèi)存DRAM芯片價格達谷底即將回調(diào)達到波谷
- 亞洲芯片制造商上周末召開了會議，研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達到了波谷，未來將有所上浮。在上周四的全球市場上，DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點，而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。計算機內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示，內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào)，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上，自從今年開始，某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70％。 “如今的價格已經(jīng)幾乎達到了最低點，我們都在等待重新的上浮?！盌aiwa研究所分析家JaeLee先生表示，“如果庫存量下滑，價格上浮
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內(nèi)存DRAM芯片價格達谷底即將回調(diào)
- 路透社：亞洲內(nèi)存制造商：DRAM芯片價格已到谷底，7月開始回調(diào) 亞洲芯片制造商上周末召開了會議，研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達到了波谷，未來將有所上浮。 據(jù)路透社報道，在上周四的全球市場上，DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點，而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。電腦內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示，內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào)，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上，自從今年開始，某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70％。 “如今的價格已經(jīng)幾乎達到了最低點，我們都在等待重新的
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韓制造商全球DRAM儲存市場領(lǐng)導(dǎo)地位受到威脅
- 市場調(diào)研機構(gòu) iSuppli總裁兼首席執(zhí)行官Derek Lidow稱，未來三年內(nèi)，韓國的DRAM 儲存芯片制造商長期以來在全球的領(lǐng)先地位存在著威脅，可能將被其他外國的競爭對手奪取。 在韓國舉行的數(shù)字論壇上Lidow表示，目前在全球DRAM儲存芯片市場，韓國的制造商仍然保持了領(lǐng)先的位置，去年三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入在全球市場占到45%。相比之下中國和中國臺灣的公司擁有的份額為17%。 Lidow預(yù)期今年全球DRAM儲存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化，韓國廠
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一種嵌入式PC非標(biāo)準(zhǔn)鍵盤的設(shè)計
- 一種嵌入式PC非標(biāo)準(zhǔn)鍵盤的設(shè)計,本文在介紹PS/2通信協(xié)議的基礎(chǔ)上，利用AT89C52實現(xiàn)了一種PC非標(biāo)準(zhǔn)鍵盤的設(shè)計。給出了其完整的硬件實現(xiàn)電路圖和主要的軟件開發(fā)方法。
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PC大廠刻意壓低內(nèi)存 上下游博弈仍在繼續(xù)
- 內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內(nèi)存業(yè)者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現(xiàn)貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示，此前內(nèi)存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本
- 近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃，部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計劃，希望通過這樣動作來減少虧損，也因為DRAM廠已開始減產(chǎn)，DRAM廠認為第三季度應(yīng)該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌，雖說目前價格略微回穩(wěn)，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時所需的變動成本，
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三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰
- 據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。 據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。 美光科技由于預(yù)測07年受手機市場帶動，CIS（C
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)
- 5月16日，據(jù)香港媒體報道，海力士半導(dǎo)體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。 海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示，目前，移動存儲設(shè)備的價格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應(yīng)該會快速成長。 2006年，由于電腦存儲芯片需求超過預(yù)期，導(dǎo)致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導(dǎo)致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
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DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品
- 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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全球12吋DRAM廠版圖擴大 亞洲成為戰(zhàn)略重地
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢達(Qimonda)正式對外宣布，將在未來5年出資20億歐元，在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠，自此可說全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場卡位，其中，北有爾必達(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有臺灣DRAM四寶及大陸中芯，南則有美光(Micron)、奇夢達，全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進廠。 奇夢達26日表示，未來5年內(nèi)將在新加坡花費高達20億歐元興建12吋廠，奇夢達全球總裁暨執(zhí)行長羅建
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Hynix勢頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危
- 4月28日消息，據(jù)國外媒體報道，權(quán)威調(diào)研機構(gòu)Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場的份額已降至7年來的最低點，可能被競爭對手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個百分點。這是自2000年以來，三星在DRAM市場表現(xiàn)最糟糕的一次。 在過去的五年中，三星的DRAM市場份額平均比第二名高出17%。相比之下，競爭對手Hynix的市場份額達到了22.8%。銷售額達到了21.82億美元，同比增長6
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亞洲PC市場排名出爐：聯(lián)想仍居榜首
- 北京時間4月20日消息，據(jù)國外媒體報道，根據(jù)市場研究公司IDC公布的初步報告，2007年第一季度，亞洲(不包括日本)PC銷量為1270萬臺，同比增長18%。盡管聯(lián)想占有的市場份額同比有較大幅度下滑，但仍然領(lǐng)先于惠普，穩(wěn)居榜首寶座。 2007年第一季度，聯(lián)想在亞洲PC市場占據(jù)了17.8%的份額，低于去年同期的21.5%。與此同時，惠普第一季度占據(jù)了15.4%的市場份額，高于去年同期的13.2%。在全球PC市場，惠普以19.1%的市場份額高居榜首，而聯(lián)想則以6.7%的份額與宏碁并列第三位。
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DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當(dāng)前的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。 在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。 Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
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