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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
- 關鍵字： Nexperia Fab
Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
- 關鍵字： Nexperia MOSFET
Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰(zhàn)略最新舉措，即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發(fā)基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動，吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示：“全球半導體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷售額為14億美元，銷量從去年第三季度和第四
- 關鍵字： Nexperia
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
- 關鍵字： Nexperia 低RDS(on) MOSFET
Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
- 關鍵字： Nexperia MOSFET GaN
Nexperia推出適用于汽車應用中高速接口的新型ESD保護器件
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專門用于保護汽車應用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關的車載網(wǎng)絡(IVN)。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰(zhàn)。Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護的三大關鍵參數(shù)（信號完整性、系統(tǒng)保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
- 關鍵字： Nexperia 高速接口 ESD
Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布與國內(nèi)汽車行業(yè)主要供應商聯(lián)合汽車電子有限公司（簡稱UAES）在功率半導體氮化鎵（GaN）領域展開深度合作，旨在滿足未來對新能源汽車電源系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求，共同致力于推動GaN工藝技術(shù)在中國汽車市場的研發(fā)和應用。 隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。Nexperia GaN FET產(chǎn)品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器等項目中開展研發(fā)合作。N
- 關鍵字： Nexperia 聯(lián)合汽車電子 氮化鎵
Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品
- 關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標準構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
- 關鍵字： Nexperia MOSFET AEC-Q101
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
- 奈梅亨，2021年2月9日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。 新投資與公司的發(fā)展戰(zhàn)略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運營，預計年產(chǎn)40萬片晶圓。 Nexperia今年的計劃包括提高生產(chǎn)效率，并在其位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術(shù)。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導體制造新技術(shù)的
- 關鍵字： Nexperia 聞泰科技
Nexperia首推用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET
- 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網(wǎng)（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
- 關鍵字： Nexperia RET
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能
- 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關注動力系統(tǒng)應用。該技術(shù)已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結(jié)構(gòu)進行構(gòu)建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
- 關鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET
Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管，具有行業(yè)領先的ESD性能
- 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應用的新款無引腳ESD保護器件。器件采用無引腳封裝，帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標準，同時提供行業(yè)領先的ESD和RF性能，節(jié)省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護。帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統(tǒng)SOT23和SOT323封裝少
- 關鍵字： Nexperia CAN-FD 保護二極管
Nexperia首次亮相第三屆中國國際進口博覽會
- 奈梅亨，2020年10月29日：半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia將首次亮相于2020年11月5日至10日在上海舉辦的第三屆中國國際進口博覽會并將全方位介紹Nexperia如何運用邏輯IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等創(chuàng)新器件推動全球各類電子設計的發(fā)展。 Nexperia憑借多元化、高產(chǎn)能的產(chǎn)品組合和行業(yè)領先的小封裝技術(shù)引領全球市場。Nexperia生產(chǎn)約15,000種產(chǎn)品，每年新增800余種新產(chǎn)品。作為未來創(chuàng)新技術(shù)的推動者，Nexperia展臺位于本屆中國國際進口博覽會
- 關鍵字： Nexperia
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