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半導體設備廠商競爭格局生變？

　　半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！　∽?990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應用材料公司的市場份額比Lam
關鍵字： ASML NAND

突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構

2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產業(yè)界、學術界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產等話題展開深入探討。
關鍵字：數(shù)據(jù) 存儲傲騰 QLC 3D NAND

AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

　　全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內存漲價超過9個季度之后，內存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%，預計2019年還會繼續(xù)跌20%?！　∈艽擞绊?，全球第四大內存芯片廠商南亞科
關鍵字： DRAM NAND

存儲領域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

　　3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢?！　　　?D NAND將思路從提高制造工藝轉
關鍵字：存儲 NAND

晉華事件透視：存儲器壟斷暴利之痛如何終結？

壟斷加劇供求失衡，導致價格上漲，壟斷導致的暴利，是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
關鍵字：存儲器 NAND

存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢?！　〈鎯ζ髟瓘SQ3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產能“緊急制動”　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
關鍵字：存儲器 NAND

產業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

　　CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
關鍵字：閃存 3D-NAND

兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產品領域通力合作

　　日前，業(yè)界領先的半導體供應商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產品可通過Digi-Key實現(xiàn)全球即時發(fā)貨，并在交貨周期及產品價格上更貼近客戶需求?！　≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產品包含SPI和
關鍵字：兆易創(chuàng)新 NAND

3D NAND技術發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤明年可待

　　NAND Flash歷經兩年的漲價后，在2018年價格開始大幅下滑，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價格指數(shù)已累積下滑高達63%，其中主流SSD價格跌幅也高達約50%。　　Flash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價格更加親民，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket最新價格，消費類零售品牌SSD 240GB容量價格已下滑至31美金，480GB容量價格下探至58美金。低端白牌SSD產品的市場報價更是分別低至25美金(24
關鍵字： NAND HDD

賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

　　全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產品。合資公司總部設立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?！　≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會長期為客戶提
關鍵字：海力士 NAND

存儲產業(yè)需求隨摩爾定律放緩，價格持續(xù)上漲

存儲芯片市場在經過長達一年半時間的猛漲后，部分內存芯片的價格突然下跌，加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報告，導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
關鍵字：摩爾定律 NAND

國內廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓，有望實現(xiàn)“彎道超車”

中國存儲器產業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關鍵技術與引入半導體巨頭，有望實現(xiàn)存儲器產業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。
關鍵字： DRAM NAND 存儲器

2018年NAND Flash價格跌幅超過50%，背后原因為何！

　　隨著智能型手機、平板、PC等消費類電子擴大普及，以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網、人工智能、5G網絡、無人駕駛等熱潮的興起，數(shù)據(jù)存儲需求與日俱增。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，預計2018年全球存儲市場規(guī)模將達到1500億美元。　　在9月19日的中國閃存市場峰會(CFMS2018)上，央視記者采訪了存儲產業(yè)鏈內的知名企業(yè)，比如：西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等，同時業(yè)內大咖也分享了對存儲產業(yè)發(fā)展的看法?！　⊙胍曍斀涱l道精彩回顧：原廠3D閃存芯片產出增加存儲容量
關鍵字： NAND 長江存儲

西部數(shù)據(jù)擴展視頻存儲和分析產品系列滿足終端智能視頻的動態(tài)需求

　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個安防監(jiān)控存儲解決方案更新，擴展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場的數(shù)據(jù)存儲設備系列。這一系列更新包括：業(yè)內率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動管理其存儲子系統(tǒng)、維持運行優(yōu)化狀態(tài)的新款設備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)。　　<左1：西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)產品市場總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
關鍵字：西部數(shù)據(jù) NAND

提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術。其用途已經從單純的閃存驅動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結構上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術已經驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻?！　∽畛酰琋AND 閃存制造商使用多重圖案化技術來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
關鍵字： NAND 閃存

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]