nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

為功耗敏感應(yīng)用選擇最佳的低功耗、低成本FPGA

功耗敏感應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員如今面對(duì)前所未有嚴(yán)格的系統(tǒng)總體功耗限制、規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。與此同時(shí)，這類應(yīng)用所要求的功...
關(guān)鍵字： FPGA 低功耗 Flash

恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

　　恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。預(yù)計(jì)此項(xiàng)合作將加快當(dāng)前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的eMMC標(biāo)準(zhǔn)的推廣，有助于管理和簡(jiǎn)化大容量存儲(chǔ)需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的整個(gè)系統(tǒng)級(jí)性能。　　根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底現(xiàn)貨漲價(jià)但復(fù)蘇道路漫長(zhǎng)

　　《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來說是一個(gè)積極的信號(hào)。　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導(dǎo)體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標(biāo)。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報(bào)告時(shí)稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli：存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)恢復(fù)盈利還為時(shí)過早

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。繼　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計(jì)劃于五月份開始銷售。　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達(dá)95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲(chǔ)。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲(chǔ)器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長(zhǎng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計(jì)將增長(zhǎng)3.6%，第三和第四季度分別增長(zhǎng)21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
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自動(dòng)圖像報(bào)警系統(tǒng)研究及單片機(jī)實(shí)現(xiàn)

報(bào)警系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于銀行、飯店、交通管理以及智能大廈等場(chǎng)所和領(lǐng)域。傳統(tǒng)的自動(dòng)報(bào)警裝置，大多采用單點(diǎn)信號(hào)報(bào)警，即在某一特定位置安放傳感器，當(dāng)該采集點(diǎn)處的物理量達(dá)到報(bào)警門限時(shí)，就向中心控制計(jì)算機(jī)發(fā)出報(bào)警請(qǐng)求
關(guān)鍵字：單片機(jī) 實(shí)現(xiàn) 研究報(bào)警系統(tǒng) 圖像自動(dòng) 圖像報(bào)警 RISC FLASH CPLD 自適應(yīng) 單片機(jī)

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU

　　瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器微控制器（Flash微控制器）。這個(gè)系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動(dòng)化）設(shè)備、樓宇自動(dòng)化（空調(diào)和電力監(jiān)控設(shè)備）和各種通信設(shè)備等工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了200 MHz操作和大量?jī)?nèi)置式外設(shè)及通信功能。SH7216系列包含12個(gè)產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲(chǔ)器容量和封裝類型各有不同。這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達(dá)到
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
關(guān)鍵字：海力士 NAND 晶圓

易用性是FPGA在更多領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵

以提供多種基于Flash和反熔絲技術(shù)的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司，在全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)下滑的2008...
關(guān)鍵字： FPGA Flash LCD

三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

　　4月15日消息據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道蘋果最近向韓國(guó)三星電子與海力士?jī)杉夜鞠聠?，要求供?yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想　　韓國(guó)時(shí)報(bào)指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 　　部分分析師認(rèn)為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國(guó)芯片廠商業(yè)績(jī)，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。　　分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲(chǔ)看到希望

　　IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺(tái)的話，那么10年以后他們就會(huì)陷入那樣的噩夢(mèng)之中。　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲(chǔ)性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
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FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻?/li>
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FSI國(guó)際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻魧?duì)制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]