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三星年底前量產64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
關鍵字：三星 NAND

東芝超車失敗：三星年底前量產64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
關鍵字：東芝 NAND

半導體行業(yè)掀起并購潮背后的推動力是什么？

我們獲取和存儲數(shù)據的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來半導體行業(yè)出現(xiàn)并購潮的原因所在。
關鍵字：半導體 NAND

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產送樣

　　據海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產品(見首圖)，且開始進行送樣。　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
關鍵字：東芝 Flash

陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進半導體制造化學機械研磨液(CMP)平臺

　　陶氏電子材料是陶氏化學公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導體裝置。　　全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進電子裝置的性能需求。　　「生產先進半導體晶圓
關鍵字：陶氏 NAND

英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產

　　經過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產步伐。　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
關鍵字：英特爾 NAND

NAND快閃記憶體價格上漲創(chuàng)見威剛笑開懷

　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。　　市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁，產品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產品在1個月內漲幅超過2成。　　市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
關鍵字： NAND DRAM

三星西安廠事故導致NAND價格爆沖22%

　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發(fā)價在1個月期間內飆漲22%。　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
關鍵字：三星 NAND

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
關鍵字： Flash 存儲器

東芝將領先三星推出64層3D NAND Flash

　　據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
關鍵字：東芝 NAND

中國半導體業(yè)崛起策略：三駕馬車并用

有關中國半導體業(yè)發(fā)展的討論已經很久了，似乎路徑已經清晰，關鍵在于執(zhí)行，以及達成何種效果。受現(xiàn)階段產業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產業(yè)的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
關鍵字：半導體 NAND

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
關鍵字： Flash 存儲器

三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
關鍵字：三星 V-NAND

東芝沖NAND Flash產量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。　　關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經、韓國先驅報(
關鍵字：東芝 3D NAND

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
關鍵字： 3D NAND 美光

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]