nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。　　在使用期的性能恒定?！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額

　　近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位。　　2014年中國成立大基金以來，促進(jìn)了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計(jì)劃開展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
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中國產(chǎn)能逐漸開出內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測內(nèi)存價(jià)格將于開始下滑?！　≠Y策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)。　　洪春暉進(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
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IHS公布二季度半導(dǎo)體銷售排行榜：三星又當(dāng)?shù)谝?/a>

　　由于持續(xù)受益于存儲(chǔ)器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！　「鶕?jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的統(tǒng)計(jì)，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%。　　以半導(dǎo)體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7

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基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：　　其主要特性如下：　　? 總?cè)萘?/li>
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全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

　　8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)知多少？

數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
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IC Insights預(yù)測：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
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NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢在下半年還會(huì)繼續(xù)，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場下半年趨勢的報(bào)告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫
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詳解嵌入式中參數(shù)存儲(chǔ)的一種方式

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫
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對STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點(diǎn)

說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLAS
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中國存儲(chǔ)三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

　　今年下半年，隨著長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)θ虼鎯?chǔ)市場價(jià)格走勢造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！　∧壳埃袊鎯?chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。　　近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]