nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

兆易創(chuàng)新獲中芯支援?dāng)U產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價格沖擊有限

　　據(jù)報導(dǎo)， Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進 Nor Flash 市場，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進一步威脅臺灣大廠旺宏與華邦電。　　不過，根據(jù)《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能，僅為每月一萬片。雖然對當(dāng)前市場的供貨有所幫助，但是對價格的沖擊，短期可能有限。　　存儲器業(yè)者透露表示，預(yù)定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片，
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東芝營益飆升近80% 將加碼投資Flash

　　東芝(Toshiba)9日公布財報，受惠于存儲器需求暢旺，營益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲器。　　法新社、路透社、金融時報報導(dǎo)，東芝發(fā)布本財年第二季(7~9月)財報，營收年增2.4%至1.24萬億日圓，營益飆升76%至1,351億日圓(12億美元)，高于路透訪調(diào)估計的1,245日圓。不過該季仍呈現(xiàn)虧損，凈損1,001億日圓。　　東芝營益大增，主因存儲器表現(xiàn)強勁，不過東芝已經(jīng)同意出售半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團，代價
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東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強勁

　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績的驅(qū)動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個業(yè)績好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲商機

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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芯片加密后究竟能不能再次使用？

　　隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來越多了，隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了，各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過來問，這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！　∫弧lash類型芯片的加密　　Flash類芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫”以及“擦除”操作，通過
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲商機

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22％

　　據(jù)IC Insights預(yù)測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計增長達20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點。　　2017年，IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價將大漲77%，預(yù)計今年將推動DRAM
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CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧

CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時；當(dāng)資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內(nèi)，且外型尺寸又較大時...可借鑒本文的處理方法
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DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量

　　援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。　　近年來由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
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DRAM漲潮再起誰才是真正贏家？

DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析

　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
關(guān)鍵字： 3D NAND 摩爾定律

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]